Запоріжжя: ЗДІА, 2012. – 176 с.Викладено основи виробництва елементних напівпровідникових матеріалів і напівпровідникових з’єднань, котрі вирішують найважливіші питання експлуатації машин і механізмів, контролю виробничих процесів, вирощування кристалів та ін. Детально розглянуті фізичні основи та технологічні прийоми обробки початкових матеріалів і виробництва готових продуктів.Вступ
Напівпровідникові матеріали
Класифікація напівпровідникових матеріалів
Елементи зонної теорії твердого тіла
Електропровідність напівпровідників
Поведінка домішок в кристалі напівпровідника
Методи вирощування кристалів
Питання для самоконтролю
Селен
Селен і властивості селену
Витягання селену з відходів кольорової металургії, сернокислотного і целюлозно-паперового виробництв і вторинної сировини
Отримання високочистого селену
Питання для самоконтролю
Германій
Фізико-хімічні і хімічні властивості германію і його з’єднань
Джерела германієвої сировини
Витягання германію з первинної і вторинної сировини
Отримання товарного двоокису і чистого полікристалічного германію
Вирощування великогабаритних монокристалів германію
Розрахунки легування германію
Питання для самоконтролю
Кремній
Фізико-хімічні властивості кремнію
Технологія напівпровідникового кремнію
Вирощування монокристалів
Питання дія самоконтролю
Технологія напівпровідникових з’єднань
Загальна характеристика напівпровідникових з’єднань
Методи синтезу напівпровідникових з’єднань
Напівпровідники, що не розкладаються: антимоніди індію і галію
Термоелектричні матеріали і тверді розчини напівпровідникових з’єднань, що не розкладаються
Напівпровідники, що розкладаються
Питання для самоконтролю
Теми для виконання самостійних робіт
Приклади рішення задач
Визначення граничної розчинності домішки
Розрахунок заданої кількості легуючої домішки
Розрахунок процесу нагріву тіл
Розрахунок рівноважного коефіцієнта розподілу рідина-тверде і ефективного коефіцієнта розподілу для вирощування монокристалів по методу Чохральського
Розрахунок розподілу домішки в монокристалі і розплаві і градієнта температури, необхідного для усунення концентраційного переохолодження
Розрахунок розподілу летючої домішки по довжині монокристала вирощеного у вакуумі
Теми контрольних робіт
використана література
Додаток А. Характеристика найважливіших легуючих домішок в Sі, Ge та GaAs
Додаток Б. Основні властивості найважливіших напівпровідникових матеріалів
