Учеб. пособие. – СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ". – 2011. – 80 с.
ч/б скан 600 dpi, OCR.
Дается краткий обзор современных аналитических методов элементного и химического анализа поверхностности, а также исследования концентрационных профилей по глубине. Основное внимание уделено физическим основам, принципам построения спектрометров, методическим особенностям проведения измерений и обработки информации методами электронной Ожеспектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и массспектрометрии вторичных ионов.
Предназначено для подготовки бакалавров и магистров, обучающихся по программам «Электроника и микроэлектроника», «Нанотехнологии и микросистемная техника» и «Электроника и наноэлектроника», а также научных работников, специализирующихся в области физики поверхности и границ раздела.
Учебное пособие подготовлено в рамках выполнения проекта по разработке и апробации программы опережающей профессиональной переподготовки и учебно-методического комплекса, ориентированных на инвестиционные проекты по производству солнечных модулей на базе технологии «тонких пленок» Oerlikon, финансируемого Фондом инфраструктурных и образовательных программ.
Оглавление
Введение
Электронная Оже-спектроскопияФизические основы метода
Количественный анализ
Послойный анализ
Приборная реализация метода ЭОСРентгеновская фотоэлектронная спектроскопияФизические основы метода
Поглощение фотона и ионизация внутреннего уровня атома, эффекты начального состояния
Генерация фотоэлектрона и релаксация атома (эффекты конечного состояния)
Выход фотоэлектрона в вакуум (внешние эффекты)
Количественный анализ
Приборная реализацияВторичная ионная масс-спектрометрияИонное распыление
Ионно-ионная эмиссия
Масс-спектрометрия вторичных ионов
Приборная реализация
Методические особенности ВИМССписок литературы