Математика диффузии в полупроводниках

This document was uploaded by one of our users. The uploader already confirmed that they had the permission to publish it. If you are author/publisher or own the copyright of this documents, please report to us by using this DMCA report form.

Simply click on the Download Book button.

Yes, Book downloads on Ebookily are 100% Free.

Sometimes the book is free on Amazon As well, so go ahead and hit "Search on Amazon"

Представлен математический анализ как общих феноменологических закономерностей атомной диффузии в твердых телах, так и специфических особенностей атомной диффузии в полупроводниках, определяемых взаимодействием ионизованных примесей и точечных дефектов с электронно-дырочной подсистемой. Книга предназначена для научных работников в области физики твердого тела и физической химии, а также для практиков в области материаловедения и технологии полупроводниковых приборов.

Author(s): Малкович Р.Ш.
Publisher: Наука
Year: 1999

Language: Russian
Commentary: 61574+OCR
Pages: 379

Титульный лист......Page 2
Глава 1. Кинетика перескоков: диффузия и дрейф......Page 3
Метод конечных разностей......Page 20
Аналитические методы......Page 25
2.1. Диффузия в неограниченном теле......Page 26
2.2. Диффузия в полуограниченном теле......Page 41
2.3. Диффузия в теле конечных размеров......Page 68
2.4. Диффузия в составном теле......Page 92
Глава 3. Диффузия с дрейфом......Page 100
3.1. Диффузия с дрейфом в неограниченном теле......Page 101
3.2. Диффузия с дрейфом в полуограниченном теле......Page 105
3.3. Диффузия с дрейфом в теле конечных размеров......Page 114
Глава 4. Диффузия с изменением состояния......Page 124
4.1. Диффузия с необратимым изменением состояния (связыванием)......Page 125
4.2. Диффузия с обратимым изменением состояния......Page 131
Нелинейная область......Page 150
4.3. Диффузия с образованием и распадом неподвижных комплексов......Page 151
4.4. Диффузия с образованием и распадом подвижных комплексов......Page 164
4.5. Диссоциативиая диффузия......Page 186
4.6. Диффузия с вытеснением (kick-out- diffusion)......Page 193
4.7. Диффузия примеси с изменением состояния ионизации......Page 198
5.1. Введение......Page 202
5.2. Диффузия в собственный полупроводник......Page 204
5.3. Диффузия в легированном полупроводнике......Page 225
5.4. Одновременная диффузия двух ионизованных примесей......Page 227
5.5. Диффузия ионизованной примеси с изменением состояния ионизации......Page 236
6.1. Введение......Page 253
6.2. Диффузия в полуограниченном теле......Page 255
6.3. Диффузия в неограниченном теле......Page 293
Диффузия из бесконечно тонкого слоя......Page 305
7.1. Координатная зависимость вероятности перескока......Page 310
7.2. Концентрационная зависимость вероятности перескока......Page 313
7.3. Координатная зависимость концентрации вакансий......Page 315
7.4. Концентрационная зависимость концентрации вакансий......Page 117
7.5. Обобщенное уравнение диффузии......Page 119
7.6. Ускоренная, замедленная и восходящая диффузия......Page 321
7.7. Симметрия перескоков......Page 323
7.8. Асимметрия перескоков......Page 327
7.9. Заключение......Page 328
Приложение I. Функции ошибок......Page 330
Приложение II. Функции inverf х и inverfc х......Page 340
Приложение III. Таблица интегралов......Page 348
Приложение IV. Таблица значений интеграла......Page 375
Приложение V. Определение оригинала по изображению F(s)......Page 377