М.: Кафедра РЭ, МИЭМ, 2005. — 108 с.
Введение.
Основы полупроводниковой электроники. Контактные явления.
Полупроводниковые материалы.
Чистые полупроводники.
Полупроводники n- и p - типа.
Электронно - дырочный переход.
Электронно - дырочный переход без внешнего воздействия.
Электронно - дырочный переход при внешнем воздействии.
Пробой p-n-перехода.
Емкость p-n-перехода.
Полупроводниковые диоды.
Характеристики и параметры диодов.
Общие сведения.
Характеристики и параметры.
Математические модели диода и их применение.
Идеальный диод.
Кусочно - линейная модель диода.
Полная схема замещения диода.
Полиномиальная аппроксимация участка ВАХ диода.
Виды и система обозначений современных полупроводниковых диодов.
Виды и обозначение диодов.
Система обозначений современных полупроводниковых диодов.
Тиристоры .
Устройство тиристора .
Вольт-амперная характеристика тиристора .
Режимы работы тиристора.
Принцип отпирания тиристора с помощью управляющего электрода.
Отключение тиристора.
Симистор.
Схемы выпрямителей с активной нагрузкой .
Однополупериодная схема выпрямителя .
Двухполупериодные схемы выпрямителей .
Трѐхфазные выпрямители .
Выпрямители с активно-реактивной нагрузкой .
Однополупериодный выпрямитель с ѐмкостной нагрузкой 2.6.2 Двухполупериодные схемы выпрямителей с активно-емкостной.
Расчетные соотношения для выпрямителей с активно- емкостной нагрузкой 2.6.4 Выпрямители с умножением напряжения 2.7 Управляемые однофазные выпрямители.
Биполярные транзисторы.
Устройство и основные процессы.
Устройство биполярного транзистора.
Режимы работы биполярного транзистора и основные физические процессы.
Характеристики и параметры биполярного транзистора.
Способы включения биполярного транзистора.
Схема с общей базой.
Схема с общим эмиттером.
Схема с общим коллектором.
Инверсное включение транзистора.
Математические модели биполярного транзистора.
Модели Эберса-Молла.
Физическиие малосигнальные модели биполярных транзисторов.
Малосигнальные модели биполярного транзистора в виде активного линейного четырехполюсника.
Система обозначений транзисторов.
Полевые транзисторы.
Общие определения.
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом.
Принцип действия, обозначение.
Вольтамперные характеристики.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом.
Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом.
Параметры и модели полевых транзисторов.
Параметры полевых транзисторов.
Математические модели транзистора с общим истоком.
УСИЛИТЕЛИ.
Классификация и типы усилителей. .
Основные характеристики усилителей. .
Работа усилительного элемента в схеме .
Статический режим работы транзисторного каскада с общим эмиттером (ОЭ) .
Расчет усилителя по постоянному току. .
Динамический режим работы каскада с общим эмиттером 5.7 Расчет усилителя по переменному току.
