В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрены: феноменологическая теория рекомбинации; теоретические модели мелких и глубоких центров; каскадная модель захвата на притягивающие центры; захват, ограниченный диффузией; многофононные процессы; оже-процессы; влияние постоянных и переменных электрических полей на процессы рекомбинации и термической ионизации. Кратко рассмотрены рекомбинационные процессы в полупроводниковых квантовых структурах. Результаты теории сопоставляются с экспериментальными данными. Для научных работников, преподавателей университетов, аспирантов и студентов.
Author(s): Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н.
Publisher: Издательство Петербургский институт ядерной физики им. Б.П.Константинова РАН
Year: 1997
Language: Russian
Commentary: 27827
Pages: 366
Титульный лист......Page 2
Введение......Page 3
1. Феноменологическая теория рекомбинации......Page 15
2. Структура примесных центров......Page 51
3. Каскадный захват носителей на изолированные притягивающие центры......Page 75
4. Захват носителей заряда при одноквантовых переходах......Page 93
5. Экспериментальные данные по захвату на притягивающие центры......Page 105
6. Взаимное влияние примесных центров......Page 117
7. Теория захвата, ограниченного диффузией......Page 129
8. Захват на отталкивающие центры......Page 136
9. Многофононный захват носителей заряда на глубокие центры и термическая ионизация......Page 142
10. Термоионизация и захват в электрическом поле......Page 200
11. Оже-рекомбинация......Page 232
12. Примесная оже-рекомбинация......Page 274
13. Захват носителей в гетероструктурах......Page 289
Приложения......Page 306
Список литературы......Page 353
