УДК 537.311.33
Москва: Энергоатомиздат, 1991.— 304 с.— ISBN 5-283-03992-7
Описано современное состояние микроскопической теории электронной структуры и энергетических уровней ионов переходных металлов в ковалентных полупроводниках. Рассмотрена специфика примесей переходных металлов, дано теоретическое обоснование физических свойств ионов переходных металлов в полупроводниках AIIBVI и AIIIBIV, показаны различия в их поведении в этих системах и элементарных полупроводниках (кремнии, германии). Рассмотрены тенденции изменения свойств электронных состояний в зависимости от типа примеси и матрицы.
Для научных работников в области электронной и радиационной физики полупроводниковых материалов, полупроводниковой техники и технологии, а также для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
Табл. 14. Ил. 95. Библиогр: 267 назв.
