M.: Металлургия, 1974. — 392 с.: ил.На примере арсенида галлия рассмотрены природа и свойства различных состояний соединений в связи с особенностями фазовых диаграмм, межфазовые взаимодействия в системе соединение—примесь, получение монокристаллов и пленок разлагающихся соединений различными методами из жидкой и газовой фаз, особенности поведения примесей в процессе выращивания и диффузии, состояние примесей в кристаллах соединений и их распределение в монокристаллах и пленках, структурные особенности монокристаллов, взаимодействие примесей с дефектами структуры и межпримесное взаимодействие.
Монография предназначена для технологов, металловедов, химиков, физиков и конструкторов, работающих в области получения и исследования свойств полупроводниковых материалов и изготовления приборов. Может быть полезна преподавателям, аспирантам и студентам инженерно-физических, химико-технологических и металлургических специальностей.Предисловие.
Введение.
Диаграмма состояния системы галлий—мышьяк
Геометрическая термодинамика двойной системы, содержащей соединение.
Термодинамика гетерофазных равновесий в двойной системе, содержащей конгруэнтно плавящееся соединение.
Экспериментальные исследования Р—Т—X диаграммы состояния системы Ga—As.
Экспериментальные исследования области гомогенности твердого GaAs.
Термодинамическая оценка области гомогенности GaAs.
Список литературы.
Диаграммы состояния тройных систем, содержащих соединения
Некоторые особенности тройных систем, содержащих соединения.
Некоторые элементы диаграмм состояния тройных систем.
Термодинамика гетерофазных равновесий в тройных системах
Гетерогенное равновесие в тройной системе с непрерывным рядом твердых растворов.
Поверхность ликвидуса в области первичной кристаллизации соединения в тройной системе с разрывом растворимости в твердой фазе.
Общее уравнение поверхности ликвидуса тройной системы.
Поверхность солидуса в области первичной кристаллизации соединения А В.
Равновесие между жидкой и газовой фазами.
Список литературы
Диаграммы состояния систем галлий—мышьяк—примесь
Диаграммы состояния систем Ga—As — элемент I группы
Система Ga—As—Сu.
Система Ga—As—Ag.
Система Ga—As—Au.
Система Ga—As—Li.
Диаграммы состояния систем Ga—As—элемент II группы
Система Ga—As—Zn.
Диаграммы состояния систем Ga—As — элемент III группы
Система Ga—As—Аl.
Система Ga—As—In.
Диаграммы состояния систем Ga—As — элемент IV группы
Система Ga—As—Si.
Система Ga—As—Ge.
Система Ga—As—Sn.
Система Ga—As—Pb.
Диаграммы состояния систем Ga—As — элемент V группы
Система Ga—As—P.
Система Ga—As—Sb.
Диаграммы состояния систем Ga—As —элемент VI группы
Система Ga—As—Те.
Система Ga—As—Se.
Система Ga—As—S.
Система Ga—As—Cr.
Диаграмма состояния системы Ga—As—элемент VIII группы
Система Ga—As—Fe.
Список литературы
Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия
Эпитаксиальная кристаллизация GaAs из газовой фазы
Методы кристаллизации GaAs из газовой фазы.
Кинетика процессов, происходящих при эпитаксии из газовой фазы.
Влияние кинетики процесса выращивания на свойства эпитаксиальных слоев GaAs.
Эпитаксиальная кристаллизация GaAs из жидкой фазы
Изотермические условия на фронте кристаллизации.
Неизотермические условия на фронте кристаллизации.
Особенности выращивания эпитаксиальных слоев GaAs высокой степени чистоты
Выращивание чистых эпитаксиальных слоев GaAs из газовой фазы.
Выращивание чистых эпитаксиальных слоев GaAs из жидкой фазы.
Список литературы
Особенности распределения примесей в монокристаллах арсенида галлия
Методы исследования примесей неоднородности
Классификация методов.
Косвенные методы.
Прямые методы.
Распределение примесей по длине и в поперечном сечении монокристаллов
Коэффициенты распределения.
Распределение примесей по длине монокристаллов.
Распределение примесей в поперечном сечении монокристаллов.
Слоистая неоднородность распределения примесей в монокристаллах
Экспериментальные результаты.
О природе слоистой неоднородности в монокристаллах.
Методы борьбы со слоистой неоднородностью.
Примесные ячеистые субструктуры и включения второй фазы в монокристаллах
Примесные субструктуры.
Включение второй фазы.
Влияние отклонения состава расплава ог стехиометрии на устойчивость «гладкого» фронта кристаллизации.
Условия стабильности «гладкого» фронта кристаллизации.
Распределение легирующих примесей по толщине эпитаксиальных слоев
Жидкофазовая эпитаксия.
Газофазовая эпитаксия.
Список литературы
Некоторые особенности поведения примесей и структурных дефектов в монокристаллах
Взаимодействие примесей и структурных дефектов в полупроводниковых соединениях
Распад пересыщенных твердых растворов в полупроводниках
Некоторые особенности поведения примесей в монокристаллах GaAs
Медь и литий.
Кремний, германий, олово.
Теллур, селен, сера.
Диффузия в GaAs
Список литературы
