product iamge

Выбор наилучшего силового ключа для источников питания по величине заряда затвора

This document was uploaded by one of our users. The uploader already confirmed that they had the permission to publish it. If you are author/publisher or own the copyright of this documents, please report to us by using this DMCA report form.

Download
Search on Amazon

Simply click on the Download Book button.

Yes, Book downloads on Ebookily are 100% Free.

Sometimes the book is free on Amazon As well, so go ahead and hit "Search on Amazon"

Силовая электроника, 2014-№3
Хисао К. Рио Т.
Улучшение характеристики новых компонентов силовой электроники позволяют использовать более высокие частоты преобразования и создавать более компактные источники питания (ИП). Предполагается, что в скором времени на смену традиционным компонентам (MOSFET или IGBT) придут новые полупроводниковые приборы, такие как полевые МОП-транзисторы с суперпереходом или полевые транзисторы на основе нитрида галлия. Эти инновационные компоненты позволят создать импульсные ИП, работающие на более высоких частотах – от нескольких сотен килогерц до 1 мегагерца и выше.

Author(s): Хисао К. Рио Т.

Language: Russian
Commentary: 1909534
Tags: Приборостроение;Конструирование и технология производства РЭА