Статья. Опубликована в Доклады БГУИР, 2003, т.1, №2, с.78-82.
Интегрированная система ионно-ассистированного магнетронного распыления была разработана для расширения возможностей управления параметрами осаждаемых пленок. Преимуществом предлагаемого способа нанесения является высокая скорость роста покрытия с заданной структурой и соответственно физико-химическими свойствами. Приведена схема устройства и результаты исследований вольтамперных характеристик магнетронной распылительной системы в зависимости от давления в вакуумной камере. Установлены особенности электромагнитной совместимости ионно-лучевой и магнетронной распылительной систем. Выявлены возможности значительного снижения пробойного потенциала магнетрона и генерации его разряда при пониженных рабочих давлениях посредством стимуляции ионным пучком. Изучено влияние различных конфигураций ионно-плазменного процесса на инициализацию и устойчивость магнетронного разряда. Отмечены особенности компенсации положительного объемного заряда ионного пучка.
