М.: Московский государственный институт электроники и математики, 2011. - 99 с.Изложены принципы и методы выполнения всех операций, составляющих единый технологический процесс фотолитографии. Дан анализ ограничений разрешающей способности традиционной фотолитографии и показаны пути их преодоления. Приведены сведения о развитии литографических процессов и основные принципы их реализации.
Для студентов 3 и 4 курсов обучающихся по специальности 210100 «Электронное машиностроение».Введение.
Планарная технология и литография.
Место литографии в технологии ИМС.
Литографические процессы. Сущность, этапы и основные операции.
Фоторезисты и их свойства.
Основные этапы процесса фотолитографии.
Этап.
1. Формирование слоя фоторезиста.
Подготовка поверхности подложки.
Нанесение слоя фоторезиста.
Сушка фоторезиста.
Этап.
2. Создание рельефной структуры фоторезиста.
Фотошаблон и операция совмещения.
Экспонирование фоторезиста.
Проявление фоторезиста.
Сушка фоторезиста.
Этап.
3. Перенос рельефа фоторезиста на топологический слой.
Химические методы обработки.
Плазменные методы обработки.
Развитие литографических методов.
Ограничения фотолитографии.
Развитие теневых методов литографии.
Литография глубокого УФ диапазона.
Иммерсионная литография.
Литография экстремального УФ.
Литография высоких энергий.
Рентгеновская литография.
Электронная литография.
Ионная литография.
Наноимпринтная литография.
Заключение.
Библиографический список.
