Гетероструктурная наноэлектроника

This document was uploaded by one of our users. The uploader already confirmed that they had the permission to publish it. If you are author/publisher or own the copyright of this documents, please report to us by using this DMCA report form.

Simply click on the Download Book button.

Yes, Book downloads on Ebookily are 100% Free.

Sometimes the book is free on Amazon As well, so go ahead and hit "Search on Amazon"

Учебное пособие. — М.: Изд. Дом МИСиС, 2009. — 155 с.
Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников
излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.
Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника».
Введение
Новое направление полупроводниковой электроники – гетероструктурная наноэлектроника
Биполярные гетеротранзисторы на основе Si/GeхSi1–x и AIIIBV
Биполярный транзистор. Общая характеристика
Энергетическая диаграмма идеального гетероперехода
Принцип действия биполярного гетеротранзистора
Биполярные гетеротранзисторы на Si/GexSi1–x
Углеродное ограничение профиля бора в базе SiGe-БГТ
Биполярные гетеротранзисторы на AIIIBV
Биполярные гетеротранзисторы на основе нитридов III группы
Сравнение достигнутых результатов с теоретическими оценками
Полевые гетеротранзисторы на АIIIBV
Псевдоморфные AlGaAs/InGaAs PHEMT на GaAs
InP НЕМТ и метаморфные GaAs МНЕМТ
HEMT с каналами из InAs и InSb
Полевые гетеротранзисторы на материалах АIIIN
Квантоворазмерные структуры и их применение
Квантовые точки Ge/Si
Квантовые точки в системе InAs/GaAs
Механизмы формирования гетероэпитаксиальных
структур с квантовыми точками
Самоорганизация при эпитаксии
Теоретические представления о достижении
равновесного состояния в системе гетеронаноостровков
Приборы на основе использования массивов квантовых точек
Фотоприемники на основе квантово-размерных структур
Лазерные структуры на квантовых точках
Полупроводниковые нанотрубки
Заключение
Библиографический список

Author(s): Ковалев А.Н.

Language: Russian
Commentary: 1851858
Tags: Специальные дисциплины;Наноматериалы и нанотехнологии;Наноэлектроника