product iamge

Получение и характеризация альтернативных диэлектриков на основе HfO2 для наноэлектроники нового поколения

This document was uploaded by one of our users. The uploader already confirmed that they had the permission to publish it. If you are author/publisher or own the copyright of this documents, please report to us by using this DMCA report form.

Download
Search on Amazon

Simply click on the Download Book button.

Yes, Book downloads on Ebookily are 100% Free.

Sometimes the book is free on Amazon As well, so go ahead and hit "Search on Amazon"

М.: ИНХ им. Николаева А.В. СО РАН, ИК им. Борескова Г.К. СО РАН, 2010. — 3 с.
Аннотация:
К настоящему времени практически достигнута предельная степень интеграции электронных микросхем на основе композиции Si/SiO2. Дальнейшая миниатюризация требует
замены используемых материалов. Так, в качестве подзатворного диэлектрика оксид кремния необходимо заменить на материал с большим значением коэффициента диэлектрической проницаемости, так называемый «high-k»-диэлектрик.

Author(s): Смирнова Т.П., Кузнецов Ф.А., Яковкина Л.В., Каичев В.В., Косяков В.И., Лебедев М.С., Кичай В.Н.

Language: Russian
Commentary: 1387256
Tags: Специальные дисциплины;Наноматериалы и нанотехнологии;Наноэлектроника