М.: Физматгиз, 1961. - 462 с.В предлагаемой монографии мы попытались обобщить и систематизировать накопленный за последние годы (до 1960 г.) экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в различных полупроводниковых материалах. Часть этого материала была получена в лаборатории диффузионных процессов Института полупроводников АН СССР. Экспериментальному материалу предпосланы главы, в которых излагаются основы теории диффузии в твердых телах и, в частности, в полупроводниках.
Первая глава содержит краткое описание дефектов, наиболее часто встречающихся в полупроводниковых кристаллах. Учет этих дефектов позволяет понять механизм самодиффузии и диффузии примесей в реальных кристаллах.
Во второй главе излагаются основные физические представления и теория процессов самодиффузии и гетеродиффузии в твердых телах.
Третья глава посвящена некоторым специфическим особенностям процессов диффузии в полупроводниках и ионных кристаллах.
В двух последующих главах изложены математические основы диффузии (гл. IV) и описаны экспериментальные методы исследования диффузии в полупроводниках (гл. V).
Скорость диффузии тесным образом связана с растворимостью диффундирующих частиц в веществе. Последнее можно проследить на примере диффузии и растворимости примесей в германии и кремнии (см. § 6 гл. III). Такая взаимосвязь между диффузией и растворимостью вызывается тем, что оба эти явления во многом обусловливаются одними и теми же факторами. Поэтому в последнее время замечается естественное стремление к одновременному изучению диффузии и растворимости примесей в полупроводниках. Подобное комплексное исследование позволяет глубже понять природу диффузионных процессов, наблюдающихся в веществе. В связи с этим мы включили в монографию специальную главу (гл. XI), посвященную растворимости примесей в полупроводниках и распаду полупроводниковых твердых растворов. Эта глава не претендует на исчерпывающее освещение вопроса, а должна лишь помочь читателю правильно ориентироваться при постановке диффузионных исследований и решении некоторых прикладных задач.
Проблемы, связанные с диффузионными методами изготовления полупроводниковых приборов, и другие прикладные вопросы диффузии в полупроводниках, естественно, не могли быть включены в эту книгу.
Мы отчетливо сознаем, что предлагаемая монография не лишена ряда недостатков. Насколько нам известно, эта монография является первой попыткой не только в отечественной, но и в мировой литературе систематизировать и изложить с единой точки зрения вопросы диффузии в полупроводниках. Поэтому нам кажется, что она будет полезна для лиц, соприкасающихся в своих исследованиях и производственной работе с вопросами диффузии в полупроводниках. Мы будем благодарны читателям за все критические замечания, которые могли бы быть учтены в будущем.
