Книга написана известным американским специалистом в области физики полупроводников М. Шуром. Подробно изложены электрофизические свойства GaAs. Особое внимание уделено явлениям переноса в субмикронных структурах. Рассмотрены все основные методы получения и исследования GaAs. Подробно изложена физика эффекта Ганна и описаны его многочисленные применения.
Главное внимание уделено анализу работы полевого транзистора. С единой точки зрения проанализированы физические принципы работы транзисторов, их применение в схемах, включая различные типы ИС, работа транзисторных структур, использующих свойства двумерного электронного газа.
Для специалистов в области физики полупроводников, полупроводниковой электроники и схемотехники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.
