В учебном пособии рассматриваются природа поверхности полупроводников и границы раздела полупроводник-диэлектрик, даны введение в феноменологическую теорию приповерхностной области пространственного заряда полупроводника и описание основных ее характеристик. Излагается теория структур металл-диэлектрик-полупроводник, описываются неравновесные процессы на границе полупроводник-диэлектрик и в области пространственного заряда МДП-структур, методы исследования и свойства реальных МДП-систем. В приложении помещены графики, таблицы и алгоритмы анализа и расчета, применяемые для исследования реальных МДП-систем.
Издание предназначено для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики и техники полупроводников и полупроводниковых приборов. Может быть полезно широкому кругу инженерно-технических работников электронной промышленности и специалистам в области интегральной микроэлектроники.
Библиогр. 11 назв. Ил. 78. Табл. 11.
Author(s): В.Ф. Сыноров, Ю.С. Чистов
Publisher: Издательство Воронежского Государственного Университета
Year: 1989
Language: Russian
Pages: 224
City: Воронеж
Предисловие 3
Введение 5
Глава 1. Поверхностные электронные состояния 12
§ 1. Таммовские состояния и состояния Шокли 12
§ 2. Собственные и несобственные состояния 15
Глава 2. Природа поверхности полупроводников 18
§ 1. Действительные поверхности полупроводников 18
§ 2. Структура и свойства границы раздела полупроводник-диэлектрик 27
§ 3. Область пространственного заряда вблизи поверхности 33
Глава 3. Теория области пространственного заряда вблизи поверхности 39
§ 1. Нейтральный объем полупроводников 39
§ 2. Разновидности ОПЗ и концентрация носителей заряда 44
§ 3. Расчет ОПЗ вблизи поверхности 59
Глава 4. Физические основы теории МДП-структур 76
§ 1. Зонные диаграммы идеальной и реальной МДП-структуры 77
§ 2. Распределение потенциала в МДП-структуре 85
§ 3. Заряд на поверхностных состояниях 93
§ 4. Дифференциальные емкости и вольт-фарадные характеристики МДП-структур 97
Глава 5. Неравновесные процессы на границе раздела и приповерхностной ОПЗ 115
§ 1. Неравновесное обеднение и взаимосвязь характеристик ОПЗ с параметрами МДП-структур 115
§ 2. Тепловые генерационные процессы и полный поток неосновных носителей заряда в ОПЗ 123
§ 3. Полевые механизмы генерации и переноса заряда в МДП-структурах 139
Глава 6. Методы исследования электрофизических характеристик МДП-структур 144
§ 1. Эквивалентные схемы МДП-структур 144
§ 2. Определение уровня и профиля легирования полупроводника 152
§ 3. Определение напряжения плоских зон, напряжения инверсии, порогового напряжения 161
§ 4. Определение энергетического распределения граничных состояний 166
§ 5. Методы определения темпа рекомбинации и времени жизни носителей зарядов 180
Глава 7. Механизмы нестабильности реальных МДП-систем 198
§ 1. Общая характеристика процессов нестабильности 198
§ 2. Миграция ионов в диэлектрической пленке 200
§ 3. Электронный захват на объемные ловушки в диэлектрике и на ПС 205
Приложения 212
Список рекомендуемой литературы 223
