В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования глубоких центров в полупроводниковых материалах и приборах. Рассмотрены определение параметров глубоких центров и профиля их концентрации, идентификация неконтролируемых глубоких центров, кинетика образования и отжига радиационных дефектов. Теоретический анализ сочетается с примерами из различных областей физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Рис. — 87, табл. — 1, библ. назв. — 148.
Author(s): Л.С. Берман, А.А. Лебедев
Publisher: Издательство "Наука"
Year: 1981
Language: Russian
Pages: 177
City: Ленинград
Предисловие 3
Основные обозначения 4
Введение 7
Раздел I. Основы теории емкостной спектроскопии глубоких центров
Глава 1. Основные свойства барьерной емкости диода с глубокими центрами 16
§ 1. Заполнение электронами глубоких уровней в p—n-переходе 16
§ 2. Барьерная емкость диода с глубокими центрами 26
Глава 2. Емкостные методы исследования глубоких центров 30
§ 1. Изотермическая релаксация емкости (ИРЕ) 30
§ 2. Термостимулированная релаксация емкости (ТСЕ) 45
§ 3. Фотоемкость (ФЕ) 49
§ 4. Частотный метод 64
Глава 3. Особенности исследования глубоких центров в диодах из высокоомного полупроводника 71
§ 1. Температурная и частотная зависимость импеданса диода с базой из высокоомного полупроводника 71
§ 2. Изотермическая релаксация тока 79
Раздел II. Основные области применения емкостной спектроскопии глубоких центров
Глава 4. Исследование свойств примесей с глубокими уровнями 86
§ 1. Исследование параметров уровней железа в кремнии 88
§ 2. Исследование параметров золота в кремнии 93
§ 3. Исследование параметров уровней платины в кремнии 101
§ 4. Исследование параметров уровней кобальта в кремнии 104
§ 5. Исследование параметров уровней железа и хрома в арсениде галлия 106
Глава 5. Определение профиля концентрации глубоких центров 109
§ 1. Резкий р+—п-переход 109
§ 2. Плавный р— п-переход 116
Глава 6. Исследование неконтролируемых глубоких центров 125
§ 1. Идентификация неконтролируемых глубоких центров 125
§ 2. Исследование дефектов термообработки в диффузионных кремниевых диодах 133
Глава 7. Исследование радиационных дефектов 137
§ 1. Образование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых диодах 137
§ 2. Некоторые проблемы физики радиационных дефектов 147
Заключение 154
Приложение 1. Особенности исследования глубоких центров в приповерхностной области структур металл—диэлектрик— полупроводник 155
Приложение 2. Установка и методы измерения спектров фотоемкости 163
Литература 170
