Учебное пособие. - СПб: СПбГПУ, 2010. - 201 с. - ISBN 978-5-7422-1845-6В данном пособии рассмотрены физико-химические особенности формирования микро- и наноразмерных структур, основные технологические методы и перспективы их развития. Большое внимание уделено физическим и технологическим ограничениям на предельные параметры микро- и наноструктур, их электронным и оптические свойства. Исследования в области наноэлектроники, развивающейся на основе микро- и нанотехнологий, важны для разработки новых принципов, а вместе с ними и нового поколения сверхминиатюрных супербыстродействующих систем обработки информации. Реализация технологических процессов рассмотрена на примере МОП-структур интегральных схем с малыми размерами элементов и углеродных наноструктур.
Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям и специальностям в области техники и технологии при изучении дисциплин «Физические основы микро- и нанотехнологий» и может быть также использовано аспирантами, инженерами и научными работниками, специализирующимися в области микро- и наноэлектроники, материаловедения.
Основные тенденции развития микро- и нанотехнологий в полупроводниковой электронике.
Эволюция полупроводниковой электроники.
Физические и схемотехнические ограничения на уменьшение размеров активных элементов и рост степени интеграции.
Одноэлектронные устройства.
Физические основы основных процессов планарной микротехнологии.
Подготовка пластин и геттерирование примесей.
Диффузия.
Ионное легирование.
Эпитаксия.
Фотолитография.
Сухое травление.
Технология пассивных элементов ИС.
Системы металлизации ИС.
Интегральные резисторы и конденсаторы.
Поверхностное сопротивление.
Расчет параметров интегрального резистора.
Тонкопленочные резисторы.
Тонкопленочные конденсаторы.
Реализация СБИС на основе МДП-структур.
Структура МДП транзистора.
Технология производства интегральных схем на МОП-транзисторах.
Конструктивные и технологические особенности КМДП ИС.
Масштабирование МОП-транзисторов.
МОП-транзисторы с малыми размерами элементов.
LDD – МОП транзистор.
Эффект короткого канала.
МОП-транзисторы, изготовленные по технологии "кремний на изоляторе.
МОП-структуры с двойным и с окольцовывающим затвором.
Углеродные наноструктуры в электронике.
Основные представления о нанотрубках.
Электронная структура, энергетический спектр и проводимость нанотрубок.
Методы получения и разделения нанотрубок.
Применение углеродных наноструктур в молекулярной электронике.
Наноэлектромеханические устройства на основе УНТ.
Графеновая электроника.
