Учебное пособие. — СПбГПУ, 2011. — 190 с.
Предлагаемое учебное пособие ставит целью ознакомить студентов с основами наиболее востребованных методов электронной и ионной спектроскопии, широко применяющимися для анализа материалов, структур и компонентов электронной техники в микро и наномасштабе
В пособии описываются методы электронной и ионной спектроскопии для анализа поверхности, особенности их реализации для исследования полупроводниковых материалов и компонентов электронной техники, и особенности подготовки образцов для анализа. В пособии также приводятся некоторые сведения об устройстве спектрометров и их компонентов.
СодержаниеСписок принятых сокращений
Введение
Классификация методов анализа
Методы электронной спектроскопии
Основные сведения об эмиссии электронов из твердого тела
Электронная микроскопия поверхности
Устройство электронного микроскопа и его основные возможности
Принципы формирования контраста в электронной микроскопии
Подготовка образцов для электронной микроскопии
Рентгеноспектральный микроанализ
Катодолюминесценция
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
Физические основы метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Обработка спектров рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Анализ поверхности методом Оже-спектроскопии
Физические основы метода Оже-спектроскопии
Ультрафиолетовая электронная спектроскопия
Анализ поверхности методами ионной спектроскопии
Основные сведения о взаимодействии ионов с поверхностью твердого тела
Ионно-нейтрализационная спектроскопия
Спектроскопия рассеяния медленных ионов
Рассеяние быстрых ионов
Распыление поверхности и послойный анализ
Вторично-ионная масс-спектроскопия
Основные закономерности вторично-ионной масс-спектроскопии
Ионное изображение
Количественный анализ во вторично-ионной масс-спектроскопии
бинные профили концентрации элементов
Применения метода вторично-ионной масс-спектроскопии
Библиографический список