Физические процессы в p-n-переходе

This document was uploaded by one of our users. The uploader already confirmed that they had the permission to publish it. If you are author/publisher or own the copyright of this documents, please report to us by using this DMCA report form.

Simply click on the Download Book button.

Yes, Book downloads on Ebookily are 100% Free.

Sometimes the book is free on Amazon As well, so go ahead and hit "Search on Amazon"

Учебное пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 210100 «Электроника и микроэлектроника». — М.: МИЭМ, 2009. — 97 с.
Данное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки дипломированных специалистов 654100 –
«Электроника и микроэлектроника» и ориентировано на дисциплину государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования «Твердотельная электроника». В пособии рассматриваются вопросы физики p-n-перехода, понимание которой совершенно необходимо при анализе работы подавляющего большинства объектов микро- и нано-электроники.
Введение
Равновесное состояние p-n-перехода
Образование двойного заряженного слоя в p-n-переходе
Равновесная контактная разность потенциалов
Равновесная энергетическая диаграмма p-n перехода
Равновесная толщина области объемного заряда
Изменение области объемного заряда под действием внешнего смещения. Барьерная или зарядовая емкость p-n перехода
Распределение неосновных носителей вблизи области объемного заряда. Явление инжекции и экстракции
Диффузионная емкость p-n-перехода
Состояние термодинамического равновесия р-п-перехода
Стационарное состояние p-n-перехода при обратном смещении
Стационарное состояние p-n-перехода при прямом смещении
Диффузионная емкость. Понятие уровня инжекции
Прохождение тока через p-n-переход
Эстафета тока в p-n-переходе
Вольтамперная характеристика тонкого p-n-перехода
Влияние генерации и рекомбинации в области объемного заряда перехода на его ВАХ
Влияние сопротивления базовой области p-n-перехода на его ВАХ
Влияние температуры на обратный ток диода
Влияние температуры на прямую ветвь ВАХ диода
Импульсные и частотные характеристики
Поведение p-n перехода на малом переменном сигнале
Диффузионная емкость p-n перехода
Переходные процессы в p-n-переходе
Переходные процессы при подаче прямого смещения
Переходные процессы при переключении диода с прямого смещения на обратное
Пробой p-n-перехода
Тепловой пробой p-n-перехода
Лавинный пробой p-n-перехода
Туннельный пробой p-n-перехода
Библиографический список
Используемые обозначения
Свойства полупроводников
Фундаментальные физические постоянные

Author(s): Лысенко А.П.

Language: Russian
Commentary: 922189
Tags: Приборостроение;Полупроводниковые приборы