М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995. - 399 с. (Программа "Университеты России"). - ISBN 5-211-03487-2
Рассмотрены особенности протекания генерационно-рекомбинационных (ГР) процессов в полупроводниковых структурах, содержащих область пространственного заряда, в частности вопросы поведения кинетических коэффициентов, описывающих ГР в сильных электрических полях и с учетом электрон-фононного взаимодействия. Разбираются различные аспекты данных процессов при моно- и биполярной инжекции, в однородных и неоднородных структурах, стационарные и нестационарные. В связи с проблемами наноэлектроники описываются методы токовой диагностики параметров рекомбинационных центров, опирающиеся на исследование ГР процессов в активных элементах. ГР-процессы связаны с дефектообразованием как прямым, так и косвенным образом. В этой связи изучаются и вышеуказанные процессы. Построена удобная термодинамическая модель, описывающая дефектообразование взаимодействующих дефектов. В том числе исследованы варианты распада комплексов в областях пространственного заряда.Книга предназначена для специалистов, занимающихся проблемами физики, диагностики качества и надежности полупроводниковых приборов. Намеренно освещены достаточно подробно некоторые широко известные вопросы, что позволяет использовать монографию в качестве дополнительного учебного пособия по курсам "физика полупроводниковых приборов" и "физика активных элементов".
