Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике. Даны: классификации, параметры и характеристики существующих на рынке элементов твердотельной электроники, включая экспериментальные и опытные приборы микроволнового и оптического диапазонов на новых принципах и современных технологиях.
Описаны преобразовательные приборы, использующие различные эффекты в полупроводниковых материалах.
Приведены задания для самостоятельной работы и примеры инженерных расчетов с использованием эквивалентных электрических схем транзистора.
Учебное пособие по дисциплине «Электронные приборы» предназначено для направления подготовки 200100 Приборостроение.
Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных направлений, в том числе и радиотехнического профиля, а также студентов физических факультетов.
Author(s): Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В.
Series: Высшее образование
Publisher: "Феникс"
Year: 2012
Language: Russian
Pages: 337
City: Ростов-на-Дону
Tags: Приборостроение;Полупроводниковые приборы;
ВВЕДЕНИЕ ......Page 4
1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ......Page 9
1.1. Зонная структура полупроводников ......Page 11
1.2. Электронно-дырочный переход ......Page 16
1.3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода ......Page 22
1.4. Вольт-амперная характеристика реального р-п-перехода ......Page 23
1.5. Контакты металла с полупроводником ......Page 27
1.6. Контакты между полупроводниками с одинаковыми типами проводимости ......Page 30
2.1. Классификация диодов ......Page 33
2.2. Эквивалентная электрическая схема р-n-перехода ......Page 36
2.3. Выпрямительные диоды ......Page 39
2.4. Высокочастотные диоды ......Page 42
2.5. Импульсные диоды ......Page 43
2.7. Стабилитроны ......Page 46
2.8. Параметрический стабилизатор напряжения ......Page 52
2.9. Варикап ......Page 55
2.10. Диод Шоттки ......Page 57
2.11. Туннельный диод ......Page 58
2.12. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна ......Page 62
3.1. Классификация ......Page 71
3.2. Общие сведения ......Page 72
3.3. Принцип работы транзистора ......Page 74
3.4. Три схемы включения транзистора ......Page 77
3.5. Вольт-амперные характеристики транзистора в схеме включения с общей базой ......Page 79
3.6. Эквивалентная электрическая схема транзистора с ОБ ......Page 82
3.7. Вольт-амперные характеристики транзистора с ОЭ ......Page 84
3.8. Транзистор как линейный четырехполюсник ......Page 90
3.9. Физические факторы, ограничивающие частотный диапазон транзистора ......Page 97
3.10. Разновидности биполярных транзисторов ......Page 99
3.11. Зависимость параметров транзисторов от режима и температуры ......Page 109
3.12. Работа транзистора в ключевом режиме ......Page 111
3.13. Структура и принцип действия тиристоров ......Page 117
4.1. Полевые транзисторы с управляющим р-n-переходом ......Page 125
4.2. МДП-транзисторы ......Page 134
4.3. Основные параметры МДП-транзистора ......Page 136
4.4. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью ......Page 137
4.5. Способы формирования видеосигнала ......Page 148
4.6. Приборы с зарядовой инжекцией ......Page 149
5.1. Биполярные СВЧ-транзисторы ......Page 152
5.2. Полевые СВЧ-транзисторы ......Page 161
5.3. Сверхбыстродействующие транзисторы ......Page 164
5.4. Состояние и перспективы развития элементной базы и технологии полупроводниковой электроники ......Page 172
5.5. Приборы на квантово-размерных эффектах ......Page 204
6.1. Полупроводниковые источники излучения ......Page 214
6.2. Светоизлучающие диоды ......Page 215
6.3. Лазеры ......Page 222
6.4. Электролюминесцентные и пленочные излучатели ......Page 229
6.5. Внутренний фотоэффект и фотоприборы ......Page 231
6.6. Термисторы с отрицательным температурным коэффициентом ......Page 246
6.7. Позисторы ......Page 249
6.8. Варисторы ......Page 251
6.9. Полупроводниковые гальваномагнитные эффекты и приборы ......Page 253
6.10. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы ......Page 260
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ......Page 264
ТЕСТЫ ......Page 281
Приложение. Расчет динамического режима работы биполярного транзистора по переменному току ......Page 303
Список литературы ......Page 330
