Учебное пособие. — СПб.: Изд-во Санкт-Петербургского государственного политехнического университета, 2010. — 100 с. — ISBN 978-5-7422-2552-2.Изложены теоретические сведения об энергетическом спектре электронов, статистике носителей заряда и методах вычисления концентрации электронов и дырок в полупроводниках. Представлены результаты расчётов температурных зависимостей концентрации носителей заряда в полупроводниках с конкретными значениями параметров зонного спектра и концентрации примесей. Описаны способы получения информации о параметрах полупроводника, носителей заряда и примесей из анализа этих зависимостей.
Предназначено для студентов, специализирующихся в различных областях экспериментальной физики, а также аспирантов, инженеров и научных работников.
Табл. 5, ил. 20, библиогр.: 9 назв.
Пособие соответствует государственному образовательному стандарту направлений 140400 "Техническая физика", 210100 "Электроника и микроэлектроника" и специальностей 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", 210101 "Физическая электроника".
