М.: Металлургия, 1981. - 92 с.Рассмотрены схемы расчетов условий выращивания легированных одной примесью монокристаллов полупроводников. Расчеты выполнены для методов выращивания, в которых используется как подпитка расплава примесью и (или) исходным материалом, так и программирование скоростных параметров процесса. Приведены расчеты условий выращивания монокристаллов, легированных двумя примесями разного типа проводимости. Эти расчеты позволяют получать монокристаллы с постоянной степенью компенсации, постоянной разностной или суммарной концентрацией носителей заряда, все расчеты иллюстрированы примерами. Для инженерно-технических работников, научных сотрудников, аспирантов и студентов.Предисловие
Параметры кристаллизационного процесса
Расчеты количества легирующих веществ
Методы получения равномерно легированных по длине монокристаллов полупроводников
Расчеты условий выращивания монокристаллов, равномерно легированных одной примесью
Программирование параметров роста монокристаллов
Подпитка кристаллизуемого расплава
Расчеты условий выращивания методом Чохральского монокристаллов, легированных двумя нелетучими примесями
Расчет программ выращивания из простого тигля монокристаллов с постоянной степенью компенсации примесей по длине
Расчет программ выращивания из простого тигля монокристаллов с постоянной разностной или суммарной концентрацией примесей по длине
Расчет условий выращивания из двойного тигля монокристаллов с постоянной разностной концентрацией примесей по длине
Библиографический список
