Учебное пособие предназначено для самостоятельного изучения курса «Проектирование и конструирование интегральных микросхем» студентами специальностей, связанных с разработкой интегральных устройств твердотельной электроники и содержит основные разделы изучаемой дисциплины.
В пособии рассматриваотся вопросы проектирования гибридных микросхем, полупроводниковых микросхем на биполярных и МДП-транзисторах, базовых матричных кристаллов, элементов постоянных запоминающих устроиств. При разработке учебного пособия ставилась задача достаточно полного и доступного изложения материала. Здесь содержатся данные, необходимые для выполнения студентами курсового проекта по разработке топологии интегральной микросхемы.
Author(s): Жигальский А.А.
Year: 2007
Language: Russian
Pages: 196
Tags: Приборостроение;Конструирование и технология производства РЭА;
Томск – 2007......Page 1
Учебное пособие......Page 2
Жигальский А.А.......Page 3
ВВЕДЕНИЕ......Page 6
1 ИЗДЕЛИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ......Page 7
2.1 Подложки......Page 12
2.2 Материалы пленок тонкопленочных микросхем......Page 15
2.3 Расчет конструкций тонкопленочных резисторов......Page 26
2.4 Тонкопленочные конденсаторы......Page 35
2.5 Пленочные индуктивности......Page 41
2.6 Конструкции тонкопленочных распределенных RС-структур......Page 43
2.7 Особенности конструкций СВЧ ГИС......Page 46
2.8 Конструкции компонентов гибридных микросхем......Page 49
2.9 Проектирование топологии гибридных ИМС......Page 58
3.1 Платы толстопленочных ГИС......Page 65
3.2 Пасты для толстопленочных ГИС......Page 66
3.3 Основные технологические операции изготовления толстопленочных ГИС......Page 67
4.1 Паразитные связи в гибридных ИМС......Page 70
4.2 Обеспечение тепловых режимов работы ИМС......Page 72
5.1 Подложки полупроводниковых интегральных микросхем......Page 78
5.2 Конструирование и выбор структуры интегральных транзисторов......Page 82
5.3 Конструирование и расчет диодов......Page 94
5.4 Интегральные резисторы......Page 100
5.6 Диоды и транзисторы с барьером Шоттки......Page 113
5.7 Методы изоляции элементов ИМС......Page 116
5.8 Разработка топологии полупроводниковых ИМС......Page 122
5.9 Тепловой режим полупроводниковых ИМС......Page 131
6.1 Типы МДП-транзисторов......Page 135
6.2 Основные принципы построения МДП ИМС......Page 144
6.3 Проектирование топологии МДП ИМС......Page 152
7 МИКРОСХЕМЫ С ФУНКЦИОНАЛЬНО- ИНТЕГРИРОВАННЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ......Page 156
8 ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ......Page 162
9.1 Принципы построения базовых матричных кристаллов......Page 172
9.2 Базовые матричные кристаллы на основе биполярных транзисторов......Page 176
9.3 Базовые матричные кристаллы на основе полевых транзисторов с изолированным затвором......Page 181
9.4 Проектирование микросхем на основе базовых матричных кристаллов......Page 183
10.1 Корпуса микросхем......Page 185
10.2 Защита поверхности кристалла бескорпусных микросхем......Page 194
ЛИТЕРАТУРА......Page 196
