Учебное пособие. — СПб.: Изд-во Политехнического университета, 2013. — 79 с.Соответствует содержанию авторского курса Твердотельная электроника для обучающихся по направлению 223200 Техническая физика по бакалаврской подготовке. Рассмотрены основы теории полупроводниковых гетероструктур. Дана классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом (неоднородный полупроводник — гомоструктура, варизонный полупроводник — гетероструктура). На примере контакта двух однородных полупроводников рассмотрено формирование энергетической диаграммы анизотипного идеального гетероперехода. Дана теория вольт-фарадной и вольт-амперной характеристик перехода. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению бакалавров Техническая физика, также может быть использовано при обучении бакалавров по направлениям Электроника и микроэлектроника, Электроника и наноэлектроника и "Инфокоммуникационные технологии и системы связи.Оглавление:
Классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом
Неоднородные полупроводники и гомоструктуры
Варизонные полупроводники и гетероструктуры
Модели гетеропереходов
Идеальный гетеропереход
Неидеальный гетеропереход
Гетеропереход с промежуточным слоем
Идеальный гетеропереход - модель Андерсона
Потенциал в области перехода
Вольт-фарадная и вольт-амперная характеристики
Неидеальный гетеропереход
Влияние заряда границы раздела материалов
Диполь на границе раздела материалов
Влияние диполей, локализованных на границах раздела материалов
Пример выполнения расчетного задания
Гетеропереход кремний — теллурид кадмия
Гетеропереход кремний — арсенид галлия
Виды энергетических профилей гетеропереходов
Влияние заряда границы раздела на энергетическую диаграмму гетероперехода
Электроотрицательность химических элементов, эВ, входящих в состав полупроводниковых материалов
Влияние диполя на энергетическую диаграмму гетероперехода
Параметры материалов гетеропар при Т— 300 К, предлагаемые для расчета гетеропереходов
