Киев: Институт физики АН УССР. Препринт. 1984. — 58 с.Рассмотрены физические основы нового перспективного метода легирования кремния, обеспечивающего высокую однородность распределения удельного сопротивления по объему монокристалла - трансмутационного легирования. Исследовано влияние различных режимов температурных обработок на основные электрофизические параметры трансмутационно-легированного кремния и кремния, легированного из расплава.Введение.
Технология получения монокристаллов кремния, предназначенных для трансмутационного легирования.
Метод трансмутационного легирования монокристаллов кремния (Метод ТЛК).
Исследование ЭПР в кремнии, легированном фосфором посредством нейтронной трансмутации.
Оптические и рекомбинационные свойства трансмутационно-легированных кристаллов кремния (ТЛК).
Влияние примесей (дефектов) и их комплексов на электрофизические свойства обычных (ОБ) и трансмутанионно-легированных (ТЛ) кристаллов кремния.
Влияние термообработки (ТО) на электрофизические свойства и структурное совершенство кристаллов кремния.
Влияние термообработки на ЭПР и электрическую активность примеси фосфора в обычных и трансмутационно-легированных кристаллах кремния.
Исследование электрической активности примеси фосфора в кристаллах кремния.
Литература.
