Author(s): P. Baranski, V. Klotchkov, I. Potykevitch
Publisher: Mir
Year: 1978
Couverture Avant
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Avant-propos
1. Les semiconducteurs élémentaires. Le germanium et le silicium
1.1. Principales propriétés physiques et physico-chimiques
1.2. La structure cristalline
1.3. Les défauts du réseau cristallin
1.4. La dynamique du réseau cristallin
1.5. Les propriétés thermiques des cristaux
1.6. Les processus de diffusion dans les semiconducteurs
1.7. Les propriétés élastiques des corps cristallins
1.8. L’effet d’élasticité ou de piézorésistance
1.9. Notions essentielles de la structure de bandes d’énergie de semiconducteurs cristallins
1.10. La statistique des électrons dégénérés et non dégénérés dans les semiconducteurs
1.11. Notions essentielles de la théorie des effets de transport
1.12. Les effets galvanomagnétiques et thermomagnétiques
1.13. Les phénomènes thermoélectriques et les forces thermoélectromotrices
1.14. Les porteurs de charge hors d’équilibre et les variations de conductibilité qu’ils déterminent
1.15. Les phénomènes de contact à l'interface métal-semiconducteur
1.16. La recombinaison des porteurs de charge
1.17. Les propriétés optiques
1.18. Les propriétés photoélectriques
1.19. Les propriétés magnétiques
1.20. La supraconductibilité des semiconducteurs
1.21. La luminescence
1.22. Les effets électroniques à la surface des semiconducteurs
1.23. Le Silicium (Si)
1.24. Le Tellure (Te)
1.25. Le Sélénium (Se)
Bibliographie
Table de matières
