СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. — 235 с.ISBN 978-5-76294476-5Рассмотрена современная теория адсорбции, сформулированная на основе метода модельных гамильтонианов (гамильтонианы Андерсона, Андерсона-Ньюнса, Халдейна-Андереона, Муската-Ньюнса). Представлены модели адсорбции на металлах, включая ферро- и антиферромагнетики, полупроводниках (собственных и примесных) и оксидах, ВТСП-подложках и графене. Обсуждаются электронные состояния адсорбированных слоев, их зарядовое и магнитное упорядочение, структурные фазовые переходы, влияние адсорбции на поверхностную проводимость субстрата. Все численные оценки выполнены в рамках метода связывающих орбиталей Харрисона. Основному тексту предпослано краткое введение в формализм вторичного квантования и технику функций Грина.
Предназначено для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся вопросами физики конденсированного состояния, микро- и наноэлектроники, роста кристаллов и катализа.Рецензенты:
д-р физ.-мат. наук, проф. С. М. Дунаевский (НИЦ «Курчатовский институт», Петербургский институт ядерной физики им. Б.П.Константинова);
д-р физ.-мат. наук, проф. А. А. Лебедев (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН);
ИПМАШ РАН (директор, чл.-кор. РАН Д. А. Индейцев; зав. лаб., д-р физ.-мат. наук, проф. С. А. Кукушкин).
