Учебное пособие. Рязанская государственная радиотехническая академия. - Рязань, 2004.
Приведена методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием па-кета программ MathCad. Рассчитываются основные параметры биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка.Оглавление.
Список обозначений.
Введение.
Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора.
Расчёт профиля легирования.
Расчёт удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв.
Приближённый расчёт коэффициента передачи тока базы.
Расчёт толщин активной части базы, ширины высокоомной области коллектора и эпитаксиального слоя.
Предварительная проверка на соответствие ширины базы граничной частоте.
Расчёт функции, определяющей границы коллекторной ОПЗ и значение удельной ёмкости коллекторного перехода в зависимости от приложенного напряжения.
Расчёт функции, определяющей границы ОПЗ и значение удельной ёмкости эмиттерного перехода в зависимости от приложенного напряжения.
Проверка базы на прокол.
Выбор топологии кристалла.
Расчёт граничной частоты.
Расчёт напряжения насыщения.
Расчёт статического коэффициента передачи тока базы с учётом эффектов высокого уровня легирования эмиттера и особенностей профиля легирования.
Расчет импульсных характеристик.
Библиографический список.
