М.: Мир, 1975.Книга американских физиков А. Милнса и Д. Фойхта содержит обстоятельное изложение основных физических процессов в полупроводниковых гетеропереходах и переходах металл — полупроводник и анализ характеристик приборов, основанных на таких переходах. Значительное внимание уделено технологии изготовления гетеропереходов. В монографии использован весьма обширный экспериментальный материал, библиография включает более 1500 названий. Книга представляет интерес как для исследователей, специализирующихся в области физики твердого тела и физики полупроводников, так и для специалистов, занимающихся разработкой и усовершенствованием различных полупроводниковых приборов: лазеров, преобразователей солнечной энергии, фотокатодов и т.п.Оглавление
Основные представления о полупроводниковых гетеропереходах
Гетеропереходы
Построение энергетической диаграммы гетероперехода
Гетеропереходные полупроводниковые пары
Основные параметры приборов с гетеропереходами
Другие устройства па гетеропереходах
Оптические свойства гетеропереходов и преобразование изображения
Гетеропереходы в инжекционных лазерах; структуры GaAs/AlxGa1-xAs
Модели полупроводниковых р—п-гетеропереходов
Модель Андерсона n — р- и р — n-гетеропереходов
Исследование гетеропереходов n—р Ge—GaAs
Механизмы рекомбинации и туннелирования в гетеропереходах
Исследования емкости гетеропереходов n — р и р — n
Рекомбинация через состояния на границе раздела
Гетеропереходные транзисторы
Преимущества идеализированных гетеропереходных транзисторов
nДефектные» компоненты тока, ожидаемые в гетеропереходных транзисторах
Характеристики гетеропереходных транзисторов из ZnSe-Ge
Потенциальные возможности гетеропереходных транзисторов
Изотипные (п — p, р — р) гетеропереходы
Диаграмма энергетических зон n — n-перехода при наличии состояний на границе раздела
Подтверждение модели энергетических зон измерениями емкости
Исследования гетеропереходов n—n Ge—Si как двойных барьеров Шоттки
n — n-гетеропереходы германий — арсенид галлия
Другие исследования иэотипных гетеропереходов
Оптические свойства гетеропереходов и гетеропереходные лазеры
Действие фотоэлемента с р — n-гомопереходами
Гетеропереходные р — n-фотоэлементы
Оптические свойства изотопных n—n-гетеропереходов
Солнечные элементы с поверхностным гетеропереходным слоем
Анализ гетеропереходных солнечных элементов
Гетеропереходные лазеры на системе GaAs—AlxGa1-xAs
Барьеры металл — полупроводник
Модель Шоттки
Определение высоты барьеров
Высоты барьеров, наблюдаемые у различных полупроводников
Свойства перехода металл — полупроводник
Характеристики, определяемые эмиссией через барьер
Понижение барьера под действием поля и сил изображения
Поток носителей в области барьера
Экспериментальные характеристики
Диоды Шоттки с охранными кольцами из р — n-переходов
Исследования понижения барьера за счет эффекта поля
Термоэлектронное туннелирование и другие вопросы
Поток неосновных носителей
Применения переходов металл — полупроводник
Фотоэмиссионные катоды с высокой эффективностью
Фотокатоды из р+-GaAs с цезиевым покрытием
Исследования барьеров на фотокатодах AIIIBV для расширения области инфракрасной чувствительности
Вторичные эмиттеры для фотоумножителей
Электронные эмиттеры с холодным катодом
Изготовление гетеропереходов
Обсуждение методов изготовления гетеропереходов
Системы для выращивания с использованием диспропорционирования иодида
Транспортные системы с использованием HCl
Выращивание с помощью водородных соединений и водяного пара
Выращивание гетеропереходов методом вакуумного испарения и распыления
Выращивание гетеропереходов из растворов
Получение гетеропереходов методом сплавления
Техника измерений
Омические контакты с полупроводниками
