Статья. Опубликована в Известия Томского политехнического университета. 2006. Т.
309. № 2, с.79-82.
Авторы: А. Н. Григорьев, А. В. Павленко, А. П. Ильин, Е. И. Карнаухов
Экспериментально исследовались влияние зарядного напряжения и индуктивности нагрузки на характеристики коммутатора, работающего на принципе пробоя по поверхности диэлектрика. Измерены импеданс, активное сопротивление и индуктивность при различных режимах работы коммутатора. Обнаружено, что для времени 5…18 мкс имеет место квазистационарная стадия разряда, когда индуктивность и активное сопротивление коммутатора постоянны.
