Томск: ТУСУР, 2007. - 566 с.
Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик–полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, МДП-транзисторов, полевых транзисторов с управляющим переходом, полупроводниковых излучателей и фотоприемников, а также полупроводниковые датчики, сенсорные устройства и преобразователи.
Для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника".Содержание:
Основные свойства и характеристики полупроводников.
Контактные явления.
Полупроводниковые диоды.
Биполярные транзисторы.
Тиристоры.
Полевые транзисторы.
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы.
Полупроводниковые датчики.
