Теоретические основы технологии полупроводниковых наноструктур

СПб.: 2006. - 350 с.В книге подробно рассмотрены такие актуальные вопросы как технологии тонких пленок и наногетероструктур; основы теории формирования новой фазы на поверхности твердого тела; термодинамика и кинетика монослойной пленки; зарождение и рост островков на поверхности твердого тела; формирование сплошной пленки; одномерные и нульмерные квантовые наноструктуры (рост квантовых точек и нановискеров); кинетика роста тонких пленок; самосогласованная теория нуклеации тонких пленок; самосогласованная теория формирования сплошной пленки: двумерный и трехмерный рост; дополнительные замечания о росте тонких пленок; механизмы формирования квантовых точек в гетероэпитаксиальных системах: общие замечания; свободная энергия образования когерентного островка; кинетика формирования когерентных островков в рассогласованных гетероэпитаксиальных системах; зависимость морфологии квантовых точек от условий роста; квантовые точки в системах InAs/GaAs и Ge/Si; нитевидные нанокристаллы (нановискеры); рост нитевидных кристаллов по механизму «пар-жидкость-кристалл»; диффузионный и комбинированный рост нановискеров; зависимость длины вискеров от радиуса капли и условий роста; сравнение теории и эксперимента; рост III-V нановискеров и т. д.