Настоящее — второе — издание справочника отличается от первого большей полнотой сведений, включением данных по новым транзисторам и большим количеством плоскостных и точечных диодов, а также вновь написанным общим разделом по транзисторам, более подробно поясняющим физику и значение каждого параметра и характеристики, приведенных в справочнике.
Справочник состоит из двух частей: «Транзисторы» и «Полупроводниковые диоды», из которых каждая делится на два раздела: «Общие сведения» и «Справочные данные». Транзисторы и диоды для облегчения отыскания расположены по восходящим цифрам их маркировки.
Транзистор и диод — полупроводниковые приборы, выполненные на основе твёрдого тела — монокристаллического германия или кремния. Оба прибора работают в широком диапазоне частот, мощностей, токов и напряжений. Транзистор предназначается для усиления и переключения, диод — для выпрямления, детектирования и стабилизации токов и напряжений. Приборы отличаются между собой числом так называемых р—п переходов. Транзистор имеет два перехода, диод — один. Физические процессы и эксплуатационные свойства обоих приборов имеют много общего. Транзистор и диод очень чувствительны к электрическим перегрузкам, приводящим к необратимым изменениям в монокристалле и выходу прибора из строя. Поэтому в схемах необходимо применять специальные меры защиты приборов от перегрузок, а также строго соблюдать режимы и нормы технических условий (ТУ) на приборы.
Данные, параметры и характеристики транзисторов, их полнота и количество зависят от многих причин. Во-первых, транзистор — прибор, универсальность использования которого резко превосходит универсальность всех существующих до настоящего времени усилителей электрических сигналов. Транзистор работает в трёх схемах включения и в трёх областях (режимах) в каждой из схем кроме того, он может быть использован в прямом и обратном включениях. Во-вторых, в зависимости от времени выпуска транзистора, совершенствования теории и методики измерений, совершенствования и расширения схемных применений количество данных, характеристик и параметров для разных транзисторов различно.
