М.: Московский государственный институт электроники и математики, 2011. - 32 с.Кратко изложены физические основы процессов ионно-плазменного нанесения тонких пленок в технологии микроэлектроники. Представлена математическая модель расчета отношения плотности потока распыляемого вещества от поверхности мишени к плотности потока осаждаемого вещества на поверхность подложки, а также распределения толщины тонкопленочного покрытия по поверхности подложки при проведении процессов ионно плазменного нанесения. Представлено описание программного обеспечения для расчета геометрических параметров процесса ионно-плазменного нанесения. Описана методика выполнения лабораторной работы.Цель лабораторной работы.
Введение.
Формирование пленок материалов в процессах ионно-плазменного нанесения.
Характеристика процесса ионно-плазменного нанесения.
Распыление материала мишени.
Перенос распыленного материала в пространстве мишень-подложка.
Осаждение материала на подложке.
Загрязнение пленок материалов, полученных ионно-плазменным нанесением.
Ионное осаждение материалов
Описание программного обеспечения для расчета параметров процесса ионной имплантации в полупроводники.
Порядок и методика выполнения лабораторной работы.
Требования к отчету по лабораторной работе.
Контрольные вопросы по лабораторной работе.
Указания по технике безопасности.
Литература.
