М.: МИЭМ, 2011. - 60 с.Данное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 210104 «Твердотельная электроника и микроэлектроника», а также для магистратуры по направлению подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника». В пособии рассматриваются особенности пробоя реальных p-n-переходов и обсуждаются методы повышения пробивного напряжения.
Список русскоязычной учебной литературы, посвященной физическим процессам в p-n-переходе, весьма широк. Достаточно сказать, что, начиная с классических монографий А.И. Губанова и Г.Е. Пикуса, разделы, посвященные p-n-переходу, вошли практически во все учебники по физике полупроводников. Здесь, например, можно упомянуть широко известные книги В.Л. Бонч-Бруевича, С.Г. Калашникова и П.С. Киреева, а также близкую к учебнику монографию Ф. Бехштедта и Р. Эндерлейна. Однако во всех этих учебниках практически не уделяется внимания особенностям лавинного пробоя реальных p-n-переходов. Данная рукопись закрывает этот пробел.Введение.
Лавинный пробой.
Вольт-амперная характеристика р-п-перехода в области лавинного пробоя.
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя.
Лавинный пробой планарного р-п-перехода.
Методы повышения напряжения лавинного пробоя.
Полевая обкладка.
Диффузионное охранное кольцо.
Эквипотенциальное кольцо и канальный ограничитель.
Резистивная полевая обкладка.
Полевое ограничительное кольцо.
Пробой р-п-перехода, ограниченного фаской.
Метод частичного вытравливания р-п-перехода.
Сравнение методов частичного вытравливания и изготовление прямой фаски.
Сравнение методики травления края подложки и изготовления обратной фаски.
Приложение.
