Львівська політехніка, 2010. — Т.
1. — 888 с. — ISBN 978-966-533-882-3.
Описано основні технологічні процеси електронної техніки: вирощування монокристалів, механічної, фізико-хімічної обробки матеріалів та напівпровідникових структур. Розглянуто процеси дифузії, епітаксії, іонної імплантації, лазерної, плазмової та електронно-променевої обробки. Описана технологія фото-, електроно-, рентгенолітографії, тонких, товстих плівок, створення наноструктур, а також монтаж та герметизація. Висвітлено методи отримання вакууму та контролю в технології електронної техніки.
Для студентів вищих навчальних закладів, які навчаються за напрямом Електроніка.Зміст:
Вступ.
Розділ
1. Основні терміни опису будови та росту кристалів.
1.1. Основні терміни для опису будови кристалів.
1.2. Будова кристалів.
1.3. Діаграма стану.
1.4. Класифікація кристалів та наноматеріалів.
1.5. Руйнування та основні дефекти структури.
1.6. Основи теорії росту монокристалів.
Розділ
2. Фізика та техніка вакууму.
2.1. Основи фізики вакууму.
2.2. Засоби отримання низького вакууму.
2.3. Засоби отримання середнього вакууму.
2.4. Фізико-хімічні методи отримання високого вакууму.
2.5. Елементи вакуумних систем.
2.6. Методи вимірювання загальних тисків.
2.7. Вимірювання парціальних тисків.
2.8. Теоретичні основи процесу відкачування.
2.9. Основні позначення у вакуумній техніці та типові вакуумні системи.
Розділ
3. Методи одержання, очищення та легування монокристалічних матеріалів.
3.1. Основні напівпровідникові матеріали електронної техніки.
3.2. Технологія монокристалічних матеріалів.
3.3. Методи одержання кристалів.
3.4. Методи напрямленої кристалізації з розплавів.
3.5. Одержання профільних монокристалів.
3.6. Методи отримання рівномірно легованих монокристалів напівпровідників.
3.7. Контроль технологічних процесів вирощування монокристалів.
3.8. Програмування кристалізаційного процесу.
Розділ
4. Механічна обробка напівпровідникових матеріалів.
4.1. Технологія напівпровідникових та діелектричних підкладок.
4.2. Теорія механічного видалення речовини.
4.3. Підготовка монокристалів до різання на пластини.
4.4. Матеріали для наклеювання зливків, пластин і кристалів.
4.5. Різання монокристалів.
4.6. Шліфування та полірування пластин.
4.7. Матеріали для шліфування і полірування монокристалічних матеріалів.
4.8. Контроль параметрів напiвпровiдникових пластин.
4.9. Методи розділення пластин.
Розділ
5. Фізико-хімічні методи обробки поверхні напівпровідникових підкладок.
5.1. Основи фізики поверхні напівпровідників.
5.2. Фізико-хімічні методи обробки поверхні напівпровідників.
5.3. Методи очищення поверхні підкладок.
5.4. Гетерування домішок і дефектів у напівпровідникових пластинах.
5.5. Методи одержання окисних плівок кремнію.
5.6. Методи контролю параметрів підкладок.
5.7. Методи контролю поверхні твердого тіла.
Розділ
6. Дифузія у напівпровідниках.
6.1. Фізичні процеси дифузії домішки в напівпровідниках.
6.2. Розрахунок розподілу домішки під час дифузії.
6.3. Дифузія домішок III і V груп у кремнії.
6.4. Аномальна дифузія домішок III і V груп у планарній технології кремнієвих структур.
6.5. Методи здійснення дифузії.
6.6. Зовнішні джерела домішки для кремнію.
6.7. Домішкові покриття.
Розділ
7. Технологія епітаксійних шарів.
7.1. Основи теорії епітаксійного росту.
7.2. Базові методи здійснення епітаксії.
7.3. Молекулярно-променева епітаксія.
7.4. Газофазна епітаксія з металоорганічних сполук.
7.5. Методи стимуляції епітаксії.
7.6. Технологія надґратчастих структур.
7.7. Дефекти та контроль параметрів епітаксійних шарів.
Розділ
8. Іонна імплантація.
8.1. Фізичні основи іонної імплантації.
8.2. Утворення радіаційних дефектів та їхній вплив на структуру поверхні пластин.
8.3. Основи технології іонної імплантації.
8.4. Технологічне обладнання для іонної імплантації.
8.5. Методи дослідження іонно-легованих шарів.
Розділ
9. Плазмова технологія травлення електронних структур.
9.1. Класифікація методів плазмової технології травлення.
9.2. Фізико-хімічні основи вакуумного плазмового травлення.
9.3. Технологія плазмового травлення.
9.4. Системи вакуум-плазмового травлення.
9.5. Методи контролю процесів іонно-плазмового травлення.
Розділ
10. Лазерна обробка в електронній техніці.
10.1. Лазерне випромінювання.
10.2. Фізичні процеси при взаємодії лазерного випромінювання з речовиною.
10.3.Лазерне випромінювання в технології електронної техніки.
10.4. Основи лазерної фотохімії.
10.5. Лазерно стимульовані процеси травлення.
10.6. Лазерне розділення матеріалів.
Список літератури.