Монография посвящена рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических ограничениях.
Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур.
Author(s): Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н.
Series: Мир материалов и технологий
Publisher: Техносфера
Year: 2007
Language: Russian
Commentary: 1146132410 хор
Pages: 357
Tags: Специальные дисциплины;Наноматериалы и нанотехнологии;Наноэлектроника;
Предисловие
Введение
Глава 1. Физические принципы наноэлектроники
Глава 2. Кремниевая одноэлектроника
Глава 3. Оптические и фотоэлектрические свойства квантово-размерных структур Si—Ge
Глава 4. Методы получения самоорганизованных Si—Ge- наноструктур
Глава 5. Синтез проводящих и полупроводниковых соединений в кремнии
Глава 6. Формирование наноразмерных структур при ионном распылении поверхности полупроводников
Глава 7. Нанокристаллы кремния, получаемые разными способами
Глава 8. Квантовые точки из монокристаллического Si, сформированные ионной имплантацией в пленках SiO2
Глава 9. Перспективы кремниевой наноэлектроники
Заключение
Список принятых сокращений
