product iamge

Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGe1-x/Si методом Оже-спектроскопии: Описание лабораторной работы

This document was uploaded by one of our users. The uploader already confirmed that they had the permission to publish it. If you are author/publisher or own the copyright of this documents, please report to us by using this DMCA report form.

Download
Search on Amazon

Simply click on the Download Book button.

Yes, Book downloads on Ebookily are 100% Free.

Sometimes the book is free on Amazon As well, so go ahead and hit "Search on Amazon"

В данной лабораторной работе рассматриваются физические основы метода Оже-спектроскопии и его применение для определения элементного состава поверхности полупроводниковых гетероструктур. Предназначено для студентов старших курсов и магистратуры физического факультета, обучающихся по специальностям ''Микроэлектроника и полупроводниковые приборы'' и ''Физика полупроводников. Микроэлектроника'', направление специализации - ''Физика твердотельных наноструктур''. Пособие подготовлено в рамках работ по проекту ''Научно-образовательный центр Физика твердотельных наноструктур Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского'' Российско-американской программы ''Фундаментальные исследования и высшее образование''

Author(s): Максимов Г.А., Николичев Д.Е., Канышина М.В.
Publisher: ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Year: 2002

Language: Russian
Pages: 40
City: Нижний Новгород