Л.: Машиностроение. Ленинградское отд-ние, 1980. — 64 с. — (Библиотечка высокочастотника-термиста).Описаны методы получения особо чистых материалов с применением индукционного нагрева, большое место уделено методам выращивания полупроводниковых монокристаллов и пленок, приведены упрощенные расчеты применяемых индукционных систем, определены требования, предъявляемые к источникам питания и системам автоматического регулирования, дано описание разработанного и внедренного на предприятиях оборудования для производства особо чистых материалов. Для инженеров, технологов, конструкторов и студентов.Предисловие.
Получение монокристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки
Процесс бестигельной зонной плавки.
Тепловые условия.
Выбор частоты, индукционные системы.
Особенности источников питания.
Системы регулирования.
Установки для бестигельной зонной плавки.
Выращивание кристаллов кремния с пьедестала
Выращивание монокристаллов кремния с пьедестала.
Выращивание прутков-подложек.
Получение профильных монокристаллов.
Групповое выращивание тонких прутков.
Эпитаксиальное наращивание монокристаллических кремниевых слоев
Процесс эпитаксиального наращивания.
Основные параметры процесса осаждения и их влияние на рост и совершенство структуры эпитаксиальных слоев.
Установки типа «Слой» для эпитаксиального наращивания слоев.
Получение монокристаллов окисных материалов методом вытягивания из расплава в тигле
Технологические особенности процесса.
Выбор источника питания.
Средства контроля и автоматизации.
Промышленные установки для получения монокристаллов высокотемпературных окислов.
Получение плавленых окисных материалов с использованием индукционной плавки в холодном тигле (ИПХТ)
Технологические возможности ИПХТ.
Плавильно-кристаллизационный узел.
Особенности работы лампового генератора.
Установки для ИПХТ.
Список литературы
