Москва: Наука, 1976, - 254 сМонография посвящена механизмам рассеяния носителей заряда в инверсионных каналах, процессам захвата их на поверхностные состояния границы раздела полупроводник — диэлектрик и состояния в диэлектрике. Рассмотрены вопросы протекания тока через диэлектрик и вопросы нестабильности МДП-структур, а также механизмы генерации неосновных носителей заряда в них при неравновесных условиях.
Обсуждаются также структуры приповерхностной области полупроводника и связанные с этим методики исследования.
Монография будет полезна широкому кругу специалистов по физике полупроводников, специалистам в области научных основ микроэлектроники, инженерам, занимающимся разработкой элементов интегральной микроэлектроники на основе МДП.В настоящую монографию включена часть результатов исследований. Она охватывает следующие основные вопросы:
структура и электрофизические характеристики диэлектрических пленок, выращенных на полупроводниковых, главным образом германиевых подложках;
структура и свойства границы раздела полупроводник — диэлектрическая пленка;
электрофизические характеристики приграничной области полупроводника, в том числе области пространственного заряда германия в состоянии неравновесного обеднения;
лабораторная технология изготовления германиевого МДП-транзистора и результаты исследования его основных характеристик;
применение методов модуляционной спектроскопии для исследования энергетической структуры граничной области полупроводника.
Помимо общего значения для дальнейшего развития МДП-микроэлектроники, приведенные в монографии материалы полезны для оценки перспектив практических применений германиевых МДП-структур и путей создания подобных структур на основе других полупроводниковых материалов.
