Суворов А.Л., Богданович Б.Ю., Залужный А.Г., Графутин В.И., Калугин В.В., Нестерович А.В., Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Чаплыгин Ю.А.
М.: МИЭТ. 2004. - 407 с.Рассматриваются различные технологии изготовления и методы исследования структур КНИ ("кремний на изоляторе").
Наиболее широкое применение структуры КНИ находят в процессах получения высоковольтных ИС, изготавливаемых по биполярной и смешанной технологиям; высокоскоростных КМОП схем; радиационно-стойких ИС; оптоэлектронных микросхем; низкоэнергопотребляющих схем, а также при изготовлении интегрально-оптических приборов, сенсоров и микроэлектромеханических систем (МЭМС).Для научных работников и инженеров, а также для аспирантов, магистров и студентов старших курсов высших учебных заведений.Оглавление
Технология прямого сращивания пластин кремния и технологические маршруты
изготовления структур КНИ
Химическая обработка поверхности полупроводниковых пластин в процессе изготовления многослойных структур и микроэлектронных изделий
Проблема прямого сращивания материалов: силы взаимодействия и поверхностные явления на границе раздела
Технология прямого сращивания пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания
Получение структур КНИ с использованием методов химической обработки и сращивания кремниевых пластин
Исследование процессов синтеза мелкодисперсных порошков оксидов, синтеза диэлектрического стекловидного материала SiO2–Al2O3–BaO в высокочастотной индукционной плазме и получения пористого кремния
Результаты исследований полученных структур КНИ
Определение параметров и исследование свойств структур КНИ
Исследование процесса имплантации ионов в полупроводники и полупроводниковые структуры методом пучковой позитронной аннигиляционной спектроскопии
Возможные синергетические подходы к проблемам электронного материаловедения
Применение метода позитронной аннигиляционной спектроскопии для исследования дефектов структуры твердого тела
