МГУЛ ФЭСТ АиУ.
Основные этапы проведения НИР, ОКР.
Поколения конструкции электронной аппаратуры.
Основы микроэлектроники.
Классификация интегральных схем.
Технологические основы микроэлектроники.
Кристаллическая структура и свойства полупроводника.
Элементы биполярных ИС.
Супер β-транзисторы.
Многоколлекторные n-p-n транзисторы.
Латеральный (горизонтальный) p-n-p транзистор.
Схемы с инжекционным питанием.
Диффузионные, ионно-инжекционные и тонкопленочные резисторы.
Диффузионные и МДП конденсаторы.
Структура МДП интегральных схем.
Проектирование межэмиттерных элементов.
Основные технологические операции изготовления ИС.
Методы получения эпитаксиальных слоев кремния.
Диффузия примеси полупроводников.
Методы осуществления диффузии.
Ионная имплантация.
Сущность ионного легирования.
Формирование диэлектрических покрытий.
Осаждение диэлектрических пленок.
Литография.
Основные операции фотолитографического процесса.
Перспективные методы литографии.
Методы получения тонких пленок.
Основные технологические операции изготовления толстопленочных ГИС.
Сборка микросхем.
Технология электромонтажных работ.
Материалы для печатных плат.
Технический процесс получения рисунка печатных плат.
Технологические процессы сборки.
Схема сборки ГОСТ 23.887-78.
Единая система конструкторской документации ЕСКД.
