Запорожье: ЗГИА, 2004. — 344 с.Изложены теоретические основы и вопросы практической реализации технологии полупроводникового кремния, методы выращивания монокристаллов и получения изделий из кремния, а также получение эпитаксиальных слоев кремния. Значительное внимание уделено фазовым переходам в полупроводниках и тонкой структуре монокристаллов кремния. Рассмотрено влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния, а также способы получения кремния с заранее заданными свойства-ми. Для научных и инженерно-технических работников и специалистов полупроводниковой промышленности, студентов.Введение.
Состояние и перспективы развития производства полупроводникового кремния.
Свойства полупроводникового кремния.
Технология полупроводникового кремния.
Производство поликристаллического кремния.
Выращивание монокристаллов. Тепловые условия.
Метод Чохральского.
Бестигельная зонная плавка.
Получение изделий из кремния методом литья.
Получение эпитаксиальных слоев кремния.
Физико-химические основы получения полупроводникового кремния.
Агрегатные состояния.
Кинетические особенности теплопереноса.
Вопросы термодинамики фазовых переходов.
Молекулярно-кинетические закономерности кристаллизации.
Тонкая структура монокристаллов кремния. Природа микродефектов. Влияние структурных дефектов на электрофизические свойства кремния и работу приборов на его основе.
Исследование фазовых переходов в полупроводниках.
Литература.
