Статья. Опубликовано в УФН 2005. Т
.175. №7 с.735-744.
Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундпых размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 1010 Вт) и частоты следования (до 104 Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Первые позволяют получать плотность тока до 102 А/см кв. и обрываемую мощность до 108 Вт. Вторые, соответственно, до 105 А/см-2 и 10 10 Вт. Рассмотрена также возможность использования в качестве базового материала не только монокристаллического кремния, как в ДДРВ и SOS-диодах, но и монокристаллического карбида кремния SiС.
