Описаны основные физические свойства и параметры элементарных полупроводников, полупроводниковых соединений, находящих широкое применение в полупроводниковой электронике. Систематизированы и рассмотрены структура энергетических зон, электрические, оптические, магнитные, гальвано- и термомагнитные свойства, влияние примесей и структурных дефектов на эти свойства и пр. Обобщен обширный материал по физическим процессам, происходящим в полупроводниках. Для физиков, химиков и инженеров, занимающихся технологией и изучением физических свойств полупроводников, а также создающих приборы на их основе, для преподавателей, студентов и аспирантов.
Author(s): Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В.
Publisher: Наукова думка
Year: 1975
Предисловие
Элементарные полупроводники. Германий и кремний
Основные физические и физико-химические постоянные
Кристаллическая структура
Степень совершенства кристаллической решетки
Динамика решетки
Тепловые свойства кристаллов
Диффузия в полупроводниках
Упругие свойства кристаллов
Тензорезистивный эффект или эффект пьезосопротивления
Основные представления о структуре энергетических зон в полупроводниковых кристаллах
Вырожденная и невырожденная статистика электронов в полупроводниках
Основные представления теории кинетических эффектов
Гальваномагнитные и термомагнитные явления
Термоэлектродвижущие силы и термоэлектрические явления
Неравновесные носители тока и неравновесная проводимость в полупроводниках
Контактные явления на границе металла с полупроводником
Рекомбинация носителей тока
Оптические свойства
Фотоэлектрические свойства
Магнитные свойства
Сверхпроводимость полупроводников
Люминесценция
Электронные явления на поверхности полупроводников
Основные физические и физико-химические характеристики Si, Те. Sе
Кремний (Si)
Твердый раствор Ge-Si
Теллур (Те)
Селен (Sе)
Литература
Полупроводниковые соединения типа АIIIВV
Кристаллическая структура
Дефекты кристаллической структуры
Поверхностные свойства и полярность решетки цинковой обманки
Поверхностные состояния
Химическая связь в соединениях АIIIВV
Зонная структура соединений АIIIВV
Оптические свойства соединении АIIIВV
Люминесценция, фото- и электролюминесценция
Явления переноса
Примеси
Термодинамические свойства
Диффузия
Термообработка и влияние облучения
Магнитная восприимчивость полупроводника
Упругие постоянные и коэффициенты расширения
Твердые растворы на основе соединений типа АIIIВV
Применение бинарных соединений АIIIВV в полупроводниковой электронике
Литература
Соединения типа АІІВV
Кристаллическая структура и характер химической связи соединении II и V групп
Стеклообразование в системе АІІВV
Электрические и оптические свойства соединений типа AII3BV2
Электрические и оптические свойства соединении типа AIIBV2
Люминесценция CdP2, ZnP2
Автоэлектронная эмиссия
Возможности практического применения соединений типа АІІВV
Литература
Соединения типа АIIВVI
Некоторые свойства элементов, образующих соединения типа АIIВVI
Основные физические и физико-химические постоянные соединений АIIВVI
Диаграммы состояния систем АIIВVI
Кристаллическая структура
Фазы высокого давления в соединениях типа АIIВVI
Химическая связь в соединениях типа АIIВVI
Дефекты кристаллической структуры
Объединение дефектов, радиационные дефекты и радиационная стойкость соединений АIIВVI
Упругие постоянные и характеристики динамики решетки соединений АIIВVI
Тепловые свойства
Диффузия и растворимость
Структура энергетических зон соединений АIIВVI
Оптические свойства
Излучательная рекомбинация в области края полосы поглощения
Литература
Тройные полупроводниковые соединения
Тройные полупроводниковые соединения аналоги AIIIBV
Кристаллическая структура и основные физические и физико-химические постоянные соединений типа AIIBIVCV2
Зонная структура некоторых соединений AIIBIVCV2
Физические свойства некоторых соединений AIIBIVCV2
Некоторые параметры центров рекомбинации и прилипания
Спектры электроотражения
Спектры электроотражения CdSnP2, CdSnAs2
Соединения типа AIIBIVCV2
Перспективы применения тройных соединений в полупроводниковой электронике
Литература
Приложения
Предметный указатель