Книга известных ученых Германии, США и Швеции содержит сведения об основных механизмах, режимах и закономерностях физического распыления, о распределении распыленных частиц по углам вылета, о десорбции больших биомолекул с поверхностей твердых тел и жидкостей под действием ионной бомбардировки. Анализируются зарядовые состояния и состояния возбуждения распыленных частиц, состав поверхности и объема твердых тел при распылении. Для широкого круга исследователей в области физической электроники, физики плазмы, микроэлектроники, материаловедения и тормоядерных исследований.
Author(s): Виттмак К., Бериш Р.
Publisher: Мир
Year: 1998
Language: Russian
Commentary: 25794
Pages: 518
Tags: Физика;Физика твердого тела;
Предисловие......Page 5
1.1 Общий обзор......Page 7
1.2 Процессы при ионной бомбардировке......Page 8
1.3 Механизмы распыления......Page 9
1.4 Моделирование и микроскопическое изучение процесса распыления......Page 11
1.5 Коэффициент распыления......Page 12
1.6 Распределения распыленных частиц......Page 14
1.7 Диагностические методы, основанные на распылении......Page 15
1.8 Микрообработка распылением при ионной бомбардиров¬ке......Page 16
1.9 Напыление с помощью распыления......Page 18
Литература......Page 19
2.1 Исторический обзор и введение......Page 23
2.2 Угловое распределение......Page 27
2.3 Энергетическое распределение распыленных частиц......Page 81
2.4 Распределение распыленных частиц по массам......Page 99
2.5 Выводы и перспективы......Page 117
Литература......Page 119
3 Зарядовое состояние и возбуждение распыленных атомов......Page 135
3.1 Физические основы явления......Page 136
3.2 Экспериментальные исследования вторичной ионной эмиссии......Page 138
3.3 Модели образования вторичных ионов......Page 172
3.4 Эмиссия атомных частиц разного сорта......Page 194
3.5 Заключительные замечания......Page 225
Литература......Page 226
4 Элементный анализ твердых тел с использованием распыления......Page 235
4.1 Исторические предпосылки......Page 236
4.2 Основные представления......Page 240
4.3 Экспериментальный метод; общие положения......Page 272
4.4 Аппаратура; понятия и характеристики......Page 282
4.5 Разнообразные примеры аналитических применений......Page 305
4.6 Уширение профиля, вызванное ионной бомбардировкой......Page 317
4.7 Количественный анализ и проблемы исследования изоляторов......Page 334
4.8 Факторы, определяющие чувствительность......Page 341
4.9 Итоги и перспективы......Page 349
Литература......Page 350
5.1 Исторический обзор......Page 366
5.2 Терминология......Page 369
5.3 Основные аспекты методов анализа больших молекул......Page 371
5.4 Осуществление эксперимента......Page 385
5.5 Экспериментальные результаты......Page 393
5.6 Теоретические аспекты......Page 412
5.7 Заключение и перспективы......Page 425
Литература......Page 426
6 Изготовление микроструктур методом распыления ионными пучками......Page 432
6.1 Общие замечания......Page 433
6.2 Получение тонких пленок методом ионного пучка......Page 435
6.3 Ионно-пучковое травление, индуцированное неоднород- ностями материала......Page 438
6.4 Изготовление микротопографических структур путем «засевания» затравкой......Page 442
6.5 Маскированное травление ионным пучком......Page 443
6.6 Изготовление наклонных микросрезов с помощью ионных пучков......Page 448
6.7 Ионно-пучковая микромеханическая обработка......Page 453
6.8 Распыление микрофокусированными ионными пучками......Page 456
6.9 Заключение......Page 460
Литература......Page 461
Дополнительная литература......Page 467
7.1 Исторический обзор......Page 468
7.2 Основы метода распыления......Page 470
7.3 Тлеющий разряд постоянного тока......Page 475
7.4 Несамостоятельный разряд постоянного тока......Page 496
7.5 Высокочастотный разряд......Page 504
7.6 Разряд, усиленный магнитным полем......Page 506
7.7 Заключительные замечания......Page 512
Литература......Page 514
