Новосибирск: Наука, 1981. — 184 с.Рассмотрены физические основы нового метода легировании полупроводников, побочные явлении - радиационные дефекты, кинетика их накоплении и отжига. Приведены данные о технологии легировании, требованиях к исходному материалу и свойствах легированных кристаллов. Для научных работников, аспирантов и студентов.Предисловие
Легирование полупроводников
Легирование из расплава
Диффузии примеси
Ионное легирование полупроводников
Легирование полупроводников методом ядерных превращений
ЛитератураФизические основы ядерного легирования полупроводников
Ядерные реакции как источник примесных атомов
Ядерные реакции под действием заряженных частиц
Ядерные реакции под действием гамма-лучей
Ядерные реакции под действием нейтронов
Легирующие примеси и характер их распределения в полупроводниках, легированных с помощью (n, гамма)-реакций
Влияние побочных факторов на ядерное легирование
Возможность получения р-n-переходов методом ядерного легирования
ЛитератураРадиационные дефекты в полупроводниках
Генерация простейших радиационных дефектов
Типы радиационных дефектов в кремнии
Накопление радиационных дефектов
Взаимодействие радиационных дефектов с различными несовершенствами кристаллической решетки
Отжиг радиационных дефектов
Радиационно-ускоренная диффузия
Радиационные дефекты в германии
Радиационные дефекты в бинарных соединениях
ЛитератураТехнологии ядерного легирования кремния
Технологическая схема процесса ядерного легирования
Обеспечение равномерного облучения слитков в ядерных реакторах
Отжиг
Электрофизические свойства ядерно-легированного кремния
Влияние предыстории материала и параметров нейтронного потока на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния
Радиоактивность ядерно-легированного кремния
Применение ядерно-легированного кремния в производстве приборов
Применение метода ядерных превращений для других материалов
Литература
