Моногр. / В.В. Трегулов ; Ряз. гос. ун-т им. С.А. Есенина. – Рязань, 2011. – 124 с.
ISBN 978-5-88006-677-3
Монография содержит обзор информационных источников и основ-ные сведения о пористом кремнии – перспективном материале современной микро- и наноэлектроники. Рассматриваются вопросы технологии из-готовления пористого кремния, его структурные свойства, люминесцентные и электрофизические характеристики, особенности применения при изготовлении полупроводниковых приборов, процессы пассивации слоев материала с целью стабилизации их характеристик. Приведенные данные достаточно полно отражают современный уровень научных представлений о пористом кремнии.
Издание предназначено для специалистов по физике полупроводников, инженеров, технологов, аспирантов, студентов магистратуры, обучающихся по направлению «техническая физика».Оглавление
Введение
Технология изготовление пористого кремния
и его структурные свойства
Фотолюминесценция пористого кремния
Электрофизические свойства пористого кремния
Применение пористого кремния
Светоизлучающие диоды на основе пористого кремния
Фотоэлектрические преобразователи
для солнечной энергетики
Приборы СВЧ-диапазона
Химические датчики на основе пористого кремния
Заключение
Список использованной литературы
