М.: ИМЕТ, 1972. — 180 с.СОДЕРЖАНИЕ
Аверкина Г.К., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Таштанова М. Выращивание и легирование монокристаллов ZnSiAs2//
Виноградова К.И., Ивлева В.С., Наследов Д.Н., Сметанникова Ю.С.,Ташкоджаев Т.К. Гальваномагнитные свойства антимонида индия легированного переходными элементами группы железа//
Григорьева В.С., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В., Яковенко А.А. О легировании полупроводникового соединения ZnGeP2//
Ильченко Л.Н., Миргаловская М.С., Комова Э. М., Раухман М.Р., Стрельникова И.А., Сорокина Н.Т. Край полосы поглощения кристаллов ZnSb и GaSb сильно легированных теллуром и цинком//
Алтайский Ю.М., Сидякин В.Г., Подласов С.А. Исследования электрофизических свойств карбида кремния кубической модификации//
Мартныов В.М., Волкова Л.В., Менцер А.Н., Киреев П.С. Влияние меди на электрофизические оптические и фотоэлектрические свойства селенида кадмия//
Арифов У.А., Кулагин А.И., Мирсагатов Ш.А., Морозкин В.В., Садыков Р.А.,Чирва В.П. О донорных свойствах кислорода введенного в карбид кремния ионным легированием//
Кондауров Н.М., Корницкий А.Г., Киреев П.С., Супалов В.А. Примесная люминесценция в селениде кадмия//
Пташинский В.В., Загорянская Е.В., Киреев П.С. Роль примесных состояний в энергетическом спектре теллурида ртути//
Ерасова Н.А., Ефимова Б.А., Захарюгина Г.Ф., Кайданов В.И., Калашникова Т.Н. Примесный уровень индия в некоторых растворах на основе теллурида свинца//
Ибрагимова П.Г., Керимов И.Г., Рустамов А .Г., Валиев Л.М., Бабаев С.Х. Синтез и исследования электрических и гальваномагнитных свойств соединений CuFe2Te4//
Маренкин С.Ф., Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Воробьйов В.Д., Джабарова Н.К., Каплин А.А, Изучения растворимости лития в Cd3As2//
Латипов З.М., Зломанов В.П., Савельев В.П. Об особенностях кристаллизации PbSe в системе Pb-Sn-Se и некоторые физические свойства полученных твердых растворов (PbSe)
Белоцкий Д.П., Махова М.К., Дундич М.С. Растворимость некоторых елементов IV и V груп в монокристаллическом CdSb//
Панчук О.Э., Грыцив В.И., Щербак Л.П., Фейчук П.И., Белоцкий Д.П. Особенности распределения серебра, индия и олова в теллуриде кадмия//
Исаев-Иванов В.В., Колчанова Н.М., Мастеров В.Ф., Наследов Д.Н., Талалакин Г.Н. О возможных состояниях примеси железа в кристаллах арсенида галлия//
Миргаловская М.С., Комова Э.М., Ильченко Л.Н. Влияние индия на основные свойства антимонида галлия//
Миргаловская М.С., Ильченко Л.Н. Предельные коцентрации электронов в сильно легированных соединений AIIIBV и их связь с зонной структурой этих соединений//
Болтакс Б.И., Сагатов М.А., Серёгин П.П. Исследования методом ядерного гамма-резонанса полупроводниковых соединений A3B5 легированных теллуром//
Кузнецов Г.М., Пелевин О.В., Оленин В.В., Барсуков А.Д. Исследования твердых растворов селена и теллура в арсениде галлия//
Емельяненко О.В.,Колчанов Н.М., Наследов Д.Н., Раду Р.К., Талалакин Г.Н. Арсенид галлия с примесью олова полученный жидкостной эпитаксией//
Кревс В.Е., Лопатинский И.Е., Пашковский М.В.,Чеджемова И.Л. Особенности легирования HgSe медью//
Абрикосов Н.Х.,Данилова-Добрякова Г.Т. Исследования области твердого раствора индия в теллуриде германия//
Рогачева Е.И., Гальчинецкий О твердых растворах на основе моннотеллурида германия//
Близнюк Г.С., Лев Е.Я., Сисоева Л.М., Коломоец Н.В. Некоторые особенности твердых растворов замещения на основе теллурида германия//
Линский В.А.,Гобачев В.В., Садовская О.А., Александров Ю.А., Путилин И.М. Исследования легирования неодимом сульфотеллурида меди//
Усков В.А. Перераспределение примесей в полупроводниках под действием локального электрического поля при диффузии двух компонентов одинакового знака//
Усков В.А., Сорвина В.П. Диффузия и растворимость железа в арсениде галлия легирования цинком//
Орлов А.М., Пархоменко В.И. Электродиффузия легирующих примесей в монокристаллах элементарных и сложных полупроводников//
Воробкало Ф.М.,Глинчук К.Д.,Прохорович А.В. Диффузия и природа излучательных центров в арсениде галлия//
Окунев В.Д., Быковский А.Н., Лебедева Л.В., Захаров Б.Г. Распределения меди при высокотемпературной диффузии в арсенид галлия//
Новикова Л.П., Стафеев В.И., Русин Б.А. Исследования дефектов возникающих в арсениде индия при диффузии кадмия//
Акулова Г.В., Максимов С.К., Шкуропат И.Г. О некоторых дефектах кристаллической структуры инициированных диффузией примесей//
Ильченко Л.Н., Миргаловская М.С., Комова Э.М., Стрельникова И.А. Оптические свойства антимонида галлия легированного теллуром//
Григонис А., Домкус М., Праневичюс Л. Управление термическим легированием изменением условий на поверхности//
Стромберг А Г., Каплин А.А. Применение метода амальгамной и пленочной полярографии в анализе легированных кристаллов//
Эккерман В.М., Гегеузин Я.Е., Гальчинецкий Л.П., Кошкин В.М. Самодифузия в In2Te3//
Конозенко И.Д., Демидова Г.Н. Особенности выпадения примеси с градиентом начальной концентрации из пересыщенного раствора//
Фистуль В.И., Гринштейн П.М. Новый метод исследования кинетики физико-химических процессов в полупроводниках//
Гришина С.П., Каратаев В.В., Мильвидский М.Г., Немцова Г.А., Освенский В.Б., Прошко Г.П. Влияние тепловых условий выращивания на физические свойства сильно легированных теллуром монокристаллов арсенида галлия//
Моргулис Л.М., Мильвидский М.Г., Освоенский В.Б. Влияние термообработки на структуру монокристаллов GaAs легированного Te//
Гришина С.П., Грекова С.Н., Куликова Л.В., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Прошко Г.П., Фомина В.А., Шершакова И.Н. Влияние термообработки на физические свойства GaAs легированного амфотерными примесями//
Хийе Я.В., Мелликов Э.Я., Бузмакова И.М. Влияние кислорода на некоторые электрофизические и оптические свойства сульфида кадмия//
Новикова Л.П., Стафеев В.И., Ильина Т.В. Исследования структурных особенностей возникающих в арсениде индия при термообработке//
Войткив В.В., Гайдучок Г.М., Фреик Д.М., Фреик Л.И. Изучение процессов старения твердых растворов на основе халькогенидов свинца р-и п-типа//
Хийе Я.В., Мелликов Э.Я., Бузмакова И.М. Вакуумный отжиг порошкообразного селенида кадмия для получения материала постоянного состава//
Ибрагимов Б.Б., Эйвазов Э.А., Рустамов А.Г., Гашимов Г.И. Влияние термообработки на электрические свойства шпинельной системы Fe1-xCuxCr2S4//
Олексеюк И.Д., Ворошилов Ю.В., Головей М.И. Некоторые электрические и структурные свойства кристаллов твердых растворов системы(Zn3As2)-(ZnTe) в области небольших концентраций теллурида цинка//
Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Ивонин И.В., Катаев Ю.Г., Красильникова Л.М., Румянцев Ю.М., Шумков А.Д., Якубеня М.П. Влияние особенностей кинетики роста эпитаксиальных слоев на захват примеси//
Лаврентьева Л.Г., Порховниченко Л.П., Нестерюк Л.Г., Тымчишин П.Н. Анизотропия легированных слоев GaAs примесями II и VI групп//
Тен В.П., Кулиш У.М. Зависимость скорости роста и уровня легирования пленок n-GaAs от ориентации подложек (жидкостная эпитаксия)//
Кулиш У.М. Влияние ориентации подложек на свойства пленок GaAs InxGa1-xAs и AlxGa1-xAs полученных жидкостной эпитаксией//
Кулиш У.М., Тен В.П. Свойства пленок арсенида галлия выращенных из раствора на подложках с различными ориентациями//
Сидоров Ю.Г., Васильева Л.Ф., Аграфенин Ю.В., Миотковский И. Особенности поведения олова и серы при легировании слоев арсенида галлия в газотранспортном методе//
Пикалев А.П., Мерзляков А.В., Ожегов П.И., Жемчужина Е.А., Полистанский Ю.Г. Исследование процесса легирования теллурида свинца из парогазовой фазы//
Шубина В.В., Стрельченко С.С., Лебедев В.В. К термодинамике процесса легирования эпитаксиальных слоев арсенида галлия теллуром//
Базакуца В.А., Мохов Г.Д., Ежик И.И. Легирование тонких пленок аморфного селена в парах ртути//
Болховитянов Ю.Б., Болховитянова Р.И., Мельников П.Л., Юдаев В.И. Использование методики эпитаксии пленок арсенида галлия из тонкого слоя раствора находящегося между подложками для изучения их легирования//
Грейсух М.Р. Неравновесый захват примеси при кристаллизации полупроводников//
Иванов В.В., Шуригин П.М., Марбах А.Л. Легирование арсенида индия при плавке под слоем флюса//
Марбах А.Л., Денисов В.М., Шурыгин П.М., Бузовкин В.П. Исследования процессов легирования теллурида свинца под слоем флюсов//
Гантимуров А.К., Марбах А.Л., Грехов Ю.Н. Легирование полупроводникового типа A5B6 термическим разложением под слоем флюса//
Гантимуров А.К., Грехов Ю.Н. Легирование полупроводников типа A5B6 и твердых растворов на их основе под слоем флюса при зонной плавке и методе Чохральского//
Орлов А.М., Шурыгин П.М., Лебедев Ю.И., Автушко В.И. Кристаллизация полупроводниковых материалов в электрическом поле//
Косов А.В., Бузовкина Н.В. Роль примесей в механизме образования слоистой неоднородности при выращивании кристаллов арсенида галлия//
Абрикосов Н.Х., Лаптев А.В., Миргаловская М.С., Раухман М.Р. Исследования некоторых гальваномагнитных свойств InSb р-типа с эффектом грани//
Грейсух М.Р., Каримов Р.Х. Влияние некоторых характеристик примеси на интенсивность канальной неоднородности//
Вахобов А.В. К расчету эффективного коэффициента распределения примесей при кристаллизационных методах очистки//
Освенский В.Б., Шифрин С.С., Мильвидский М.Г., Корчажкина Р.Л. Влияние легирующих примесей на образования и динамическое поведение дислокации в полупроводниках при высоких температурах//
Освенский В.Б., Холодный Л.П., Мильвидский М.Г. Влияние заряженных примесей в арсениде галлия на скорость движения дислокаций лимитируемого пайерлсовским механизмом//
Моргулис Л.М., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Гришина С.П., Шерщакова И.Н. Электронно-микроскопическое исследование структуры монокристаллов GaAs легирования элементами IV группы//
Гришина С.П., Мильвидский М.Г., Моргулис Л.М., Освенский В.Б., Шершакова И.Н., Шифрин С.С. Тонкая структура монокристаллов GaAs легированного элементами IV группы выявляемая при химическом травлении//
Блашку А.И., Болтакс Б.И., Джафаров Т.Д. Влияние неравновесных вакансий на диффузию цинка и меди в арсениде галлия//
Зелевинская В.М., Качурин Г.А. Образования комплексов примесь--дефект при легировании арсенида галлия внедрением ионов S Se и Te//
Нирк Т.Б., Варвас Ю.А. Взаимодействие собственных дефектов с электрически активными примесями в монокристаллах CdSe//
Лотт К.П., Варвас Ю.А. Собственый донорый дефект и донорные примеси в ZnS//
Пташинский В.В., Киреев П.С., Иноземцев К.И., Фадин В.К., Фигуровский Е.Н., Евсеев Ю.В. Влияние примесей на свойства теллурида ртути//
Уфимцев В.Б., Вигдорович В.Н. Взаимодействие компонентов и коэффициенты распределения примесей в полупроводниках//
Егоркин В.В., Крестовников А.Н., Миргаловская М.С., Раухман М.Р., Уфимцев В.Б., Сорокина Н.Г. О поведении цинка в антимониде индия по результатам исследования термодинамических свойств жидких и твердых растворов InSb-Zn//
Абдукаримов Э.Т.,Орлов А.Г., Романенко В.Н., Сидоров А.Ф. Изучение физико-химических процессов происходящих при кристаллизации легированного теллурида висмута//
Дашевский М.Я., Колобродов Л.Н., Костиков В.И., Мельников В.С., Белоусов В.Т., Лившиц Е.А., Ковальчук Л.В. Исследование сильнолегированных монокристаллов антимонида индия и арсенида галлия//
Сидорова А.В., Сидоров Ю.Г. Расчет равновесных концентраций примесей при легировании эпитаксиальных слоев полупроводников//
Каратаев В.В., Мильвидский М.Г., Моргулис Л.М., Немцова Г.А., Соловьева Е.В. Влияние отклонения состава расплава от стехиометрии при выращивании на физические свойства арсенида галлия легированного германием//
Борисова Л.А., Колесов Б.А., Аккерман Э.Л.,Ерофеева Н.А. О легировании арсенида галлия кремнием из расплава//
Миргаловский М.С., Стрельникова И.А., Юнович А.Э. Кристаллы твердых растворов системы GaSb-ZnSb легированных Zn и Te//
Волков А.С., Галаванов В.В.,Саимкулов З.А. Легирование эпитаксиальных слоев антимонида индия теллуром и селеном//
Романенко В.Н., Хейфец В.С. Применение процессов жидкостной эпитаксии для анализа диаграмм состояния на примере систем Ga-Al-As-примесь//
Абрикосов Н.Х., Иванова Л.Д. Исследование легированных кристаллов высшего силицида марганца//
Задворный Л.И. О разработке высокотемпературных полупроводниковых материалов на основе силицидов переходных металлов//
Хабаров Э.Н. Твердые растворы типа A3B5-A2B6//
Рязанцев А.А., Семиколенова Н.А., Скоробагатова Л.А., Хабаров Э.Н. Взаимодействие примесей донорного и акцепторного типа в системах ZnAs-CdTe и InSb-CdTe со стороны соединений A3B5//
Скоробогатова Л.А., Финогенова В.К., Рязанцев А.А., Хабаров Э.Н. T-x-фазовая диаграмма системы InSb-CdTe//
Глазов В.М., Киселев А.И., Нагиев В.А. Анализ донорно-акцепторного взаимодействия между легирующими элементами типа AII и BVI в твердых растворах на основе соединений AIIIBV//
Глазов В.М., Нагиев В.А., Рзаев Ф.Р. Легирование фосфида индия элементами донорного и акцепторного типа//
Белая А.Д., Земсков В.С., Свечникова Т.Е. Взаимодействие между цинком и теллуром при росте кристаллов легированного антимонида индия//
Угличина Г.Н., Уфимцев В.Б., Шумилин В.П., Исследование фазовых равновесий в системе арсенид индия-теллур//
Белая А.Д., Земсков В.С. Коэффициент распределения теллура в антимониде индия//
Лакеенков В.М., Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Уфимцев Э.В. Жидкостная эпитаксия твердого раствора A3B5-A2-B6 в связи с диаграммой состояния системы A2-A3-B5-B6//
Пелевин О.В., Мильвидский М.Г., Гирич Б.Г., Николаев М.И. Поведение легирующих примесей при жидкофазной эпитаксии арсенида галлия//
Пантелеев В.А., Рудой Н.Е. К вопросу о зависимости между концентрациями доноров и акцепторов при образовании твердых растворов в тройных системах полупроводник-акцептор-донор//
Саидов М.С. К молекулярно-статистической теории совместного распределения примесей в полупроводниках//
Саидов М.С., Шукуров И. Исследование влияния третьего компонента на фазовое равновесие олово-кремний//
Губенко А.Я. Зависимость коэффициента распределения примесей от уровня легирования и условий выращивания//
